接触式光刻技术中掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触，一次曝光整个衬底，掩膜版图形与晶圆图形的尺寸关系是1:1，分辨率可达亚微米级。接触式可以减小光的衍射效应，但在接触过程中晶圆与掩膜版之间的摩擦容易形成划痕，产生颗粒沾污，降低了晶圆良率及掩膜版的使用寿命，需要经常更换掩膜版，故接近式光刻技术得以引入。...
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于如何在硅片上制作出目标电路图样，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。一般芯片在生产中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到 IC 生产环节的 50%左右，占芯片生产成本的1/...
1）LELE（LITHO-ETCH- LITHO-ETCH 光刻-刻蚀-光刻-刻蚀：原理是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上，利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形。2）LFLE（LITHO-FREEZE-LITHO-ETCH 光刻-固化-光刻-刻蚀）：原理是将第二层光刻胶加在第一层已被化学冻结但没去除的光刻胶上，再次进行光刻，形成两倍结...
比如,多次LE或SADP可以实现7nm制程,但多重曝光技术提高了对刻蚀、沉积等工艺的技术要求并且增加了使用次数,使晶圆光刻成本增加了2-3倍。 此时,相较多重曝光,EUV能降低15%-50%的成本,缩短3-6x的周期时间,使产品更快量产。而对于5nm制程,浸没式DUV难以实现且不具备经济效益。
贝格光刻：是一家由前ASML员工创办的中国光刻机公司，其光刻机产品主要面向LCD显示器和晶圆制造等领域。 光影集团：是一家总部位于荷兰的公司，在中国设有研发和生产基地。光影集团主要生产高端光刻机和光刻机配件等产品。 星辉光学：是一家位于江苏苏州的光学公司，其光刻机产品主要面向半导体和光通信等领域。 以上...
实践证明,电子束邻近效应校正技术、电子束曝光与光学曝光系统的匹配和混合光刻技术及抗蚀剂曝光工艺优化技术的应用,是一种提高电子束光刻系统实际光刻分辨能力非常有效的办法。 电子束光刻最主要的就是金属化剥离。 第一步是在光刻胶表面扫描到自己需要的图形; ...
光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上,通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。 光刻技术是借用照相技术、平板印刷技术的基础上发展起来的半导体关键工艺技术。通俗易懂的说,集成电路制造,是要在几平方厘米的面积上,成批...
尽管追求高精度，但我们面临诸多挑战。光源技术和材料研发需大量投入和人力支持。新型光刻技术，如量子点光刻等，不断涌现，有望改变行业面貌。但实现这些目标需要更多资源和支持。光刻机研发与产业发展 政府政策支持和资金投入是研发光刻机成功的关键。同时，人才培养和技术积累同样重要，为研发提供坚实基础。我国在光刻...
Lathrop的光刻工艺起飞了，因为生产民用电子产品的晶体管的公司意识到了其变革的潜力。光刻技术不仅以前所未有的精度生产晶体管，而且还为进一步的微型化打开了大门。领导商业晶体管竞赛的两家公司，飞兆半导体和德州仪器很早就理解了其中的含义。光刻技术是他们制造数以百万计的晶体管所需的工具，使它们成为大众市场的...