列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。相关知识点: 试题来源: 解析 1气相成底膜:第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。 2旋转涂胶:完成底膜后,硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。 3软烘:光刻胶被涂到硅片表面后,必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。 4对准和曝光:掩膜版与涂了...
紧随在光刻胶曝光之后; 6 、显影:硅片表面光刻胶中产生图形的关键步骤,将光刻胶上可溶解区域被化学显影剂溶解,将可见的图形留在硅片表面; 7 、坚膜烘培:显影后的热烘指的就是坚膜烘培,目的在于挥发掉存留的光刻胶溶剂,提高光刻胶对硅片表面的粘附性; 8 、显影后检查:目的在于去顶光刻图形的质量。
预处理→涂胶→对准和曝光→软烘→曝光后烘焙→坚膜烘焙→显影→显影检查 相关知识点: 试题来源: 解析 C 正确答案:C 答案解析:光刻工序的正确操作步骤为预处理→涂胶→软烘→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查。反馈 收藏
[问答题,简答题] 例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。相关知识点: 试题来源: 解析 第一步:气相成底膜处理,其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。 第二步:旋转涂胶,将硅片被固定在载片台上,一定数量的液体光刻胶滴在硅片上,然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层 第三步:软烘,去除光刻胶中的...
光刻（光学曝光），是指利用特定波长的光进行辐照，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上的过程。 光学曝光是一个复杂的物理化学过程，具有大面积、重复性好、易操作以及成本低等特点，是半导体器件与大规模集成电路制造的核心步骤。光刻工艺流程：光刻工艺流程一览图 1. 衬底预处理（Substrate Pre-treatment）：：① 去除...
(1)底膜处理是光刻工艺的第一步,其主要目的是对硅衬底表面进行处理,以增强衬 底与光刻胶之间的黏附性。底膜处理包括以下过程:清洗、烘干和增粘处理。 (2)涂胶工艺一般包括三个步骤:①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上;②加速旋转托 盘(硅片),直至达到需要的旋转速度;③达到所需的旋转速度后,保持一定时间的旋转...
列出光刻工艺的十个步骤,并简述每一步的目的。相关知识点: 试题来源: 解析 ①表面准备:清洁和干燥晶圆表面 ②涂光刻胶:在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶 ③软烘培:加热,部分蒸发光刻胶溶剂 ④对准和曝光:掩膜版和图形在晶圆上精确对准和光刻胶的曝光,负胶是聚合物 ⑤显影:非聚合光刻胶的去除 ⑥硬烘培:对...
百度试题 题目光刻的步骤是哪些?相关知识点: 试题来源: 解析 前烘和前处理,匀胶,匀胶后烘,曝光,曝光后烘,显影,显影后烘,检查。反馈 收藏
以下是光刻工艺的八个步骤: 1.制备基片:将硅片等基片进行清洗和处理,使其表面平整干净,以便后续的光刻处理。 2.涂覆光刻胶:在基片表面涂覆一层光刻胶,光刻胶的厚度和涂布均匀度对后续的工艺影响很大。 3.预烘烤:将涂覆光刻胶的基片放入烘箱中进行预烘烤,使光刻胶在基片上均匀固化。 4.掩膜对位:将准备好的...