光刻（英语：photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。基本信息 下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解...
光刻(英语:photolithography)工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。
一、光刻工艺流程二、曝光1、接触式曝光 定义:将掩模版直接与涂有光刻胶的晶圆接触进行曝光 优点:曝光设备的光学系统简单、价格低廉 缺点:掩模版与涂有光刻胶的硅片直接接触,晶圆上的灰尘粘到掩模版及硅片2、…
7.1.2 光刻的基本方法 7.1.3 其他图像传递方法 7.2 光刻的系统参数 7.2.1 波长、数值孔径、像空间介质折射率 7.2.2 光刻分辨率的表示 7.3 光刻工艺流程 1.气体硅片表面预处理 2.旋涂光刻胶,抗反射层 3.曝光前烘焙 4.对准和曝光 5.曝光后烘焙 6.显影 7.显影后烘焙,坚膜烘焙 8.测量 7.4 光刻工艺窗口以...
一、光刻工艺简介 光刻工艺在半导体制作工艺过程中占有及其重要的地位,光刻质量的好坏直接影响器件的性能,了解光刻工艺首先要初步了解光刻机。 下图是ASML光刻机的主要结构和分布,主要有:光源、照明系统、掩模台、掩模传输系统,投影光刻物镜、工件台、硅片传输系统,对准系统,调平调焦...
光刻工艺是集成电路制造中至关重要的环节。它通过一系列复杂的步骤，包括涂覆光刻胶、曝光、显影等，将设计好的电路图案精确地转移到半导体晶圆表面。光刻工艺的精度和准确性直接影响着芯片的性能和质量，是实现微小化、高密度集成的关键技术，需要高精度的设备、优质的光刻胶以及严格的环境控制，以确保图案的清晰、准确...
△光刻工艺基本步骤 光刻工艺的第一步就是涂覆光刻胶(Photo Resist,PR),当光穿过掩膜照射时,在受光和未受光区域之间,光刻胶会出现性质差异。利用这种差异,在光刻胶的受光或未受光区域中,可根据情况保留和移除所需区域,这个过程就是显影(Develop)。换言之,显影的区域便是掩模版的图案区域。将掩模版的图案(Pat...
早期光刻机叫Mask Aligner 意思为掩膜对准曝光,现在多用lithography这个词代称光刻机和光刻工艺,有时候工艺工程师们偷懒就简化为 “litho”。真正要称呼光刻机这个设备,一般工程师们习惯用光刻机的特性的单词来称呼各类型的光刻机,这种好处是是,专业人士一看就知道你说的是具体什么型号的光刻机,坏处是外行人一脸懵...
光刻工艺是半导体等精密电子器件制造的核心流程,工艺流程包括:来料清洗,烘干,HDMS增粘,冷板,涂胶,前烘,冷板,去边,曝光,后烘,冷板,显影,清洗,坚膜。光刻工艺通过上述流程将具有细微几何图形结构的光刻胶留在衬底上,再通过刻蚀等工艺将该结构转移到衬底上。