湿法刻蚀需要选择粘附性好的胶，还需要做增附处理；③ LIGA：与湿法腐蚀类似，需要选择与衬底粘附性好的胶，防止在液体中发生漂胶现象；④ 离子注入：需要选择一定厚度的耐温性和机械稳定性好的胶，高剂量离子注入后会导致光刻变性，需要使用去胶机进行去除。光刻胶底切和顶切对lift-off工艺的影响 10. 去胶（re...
以下是光刻工艺的八个步骤: 1.制备基片:将硅片等基片进行清洗和处理,使其表面平整干净,以便后续的光刻处理。 2.涂覆光刻胶:在基片表面涂覆一层光刻胶,光刻胶的厚度和涂布均匀度对后续的工艺影响很大。 3.预烘烤:将涂覆光刻胶的基片放入烘箱中进行预烘烤,使光刻胶在基片上均匀固化。 4.掩膜对位:将准备好的...
答:一般的光刻工艺要经历底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀、去胶、 检验工序。 (1)底膜处理是光刻工艺的第一步,其主要目的是对硅衬底表面进行处理,以增强衬 底与光刻胶之间的黏附性。底膜处理包括以下过程:清洗、烘干和增粘处理。 (2)涂胶工艺一般包括三个步骤:①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上...
列出光刻工艺的十个步骤,并简述每一步的目的。相关知识点: 试题来源: 解析 ①表面准备:清洁和干燥晶圆表面 ②涂光刻胶:在晶圆表面均匀涂抹一薄层光刻胶 ③软烘培:加热,部分蒸发光刻胶溶剂 ④对准和曝光:掩膜版和图形在晶圆上精确对准和光刻胶的曝光,负胶是聚合物 ⑤显影:非聚合光刻胶的去除 ⑥硬烘培:对...
百度试题 题目简述光刻工艺的8个基本步骤。相关知识点: 试题来源: 解析 ①气相成底膜; ②旋转涂胶; ③软烘; ④对准和曝光; ⑤曝光后烘培(PEB); ⑥显影; ⑦坚膜烘培; ⑧显影检查。 反馈 收藏
百度试题 题目简述光刻工艺步骤。相关知识点: 试题来源: 解析 涂光刻胶,曝光,显影,腐蚀,去光刻胶。反馈 收藏
光刻工艺的主要步骤:涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜; 光刻工艺4个热处理工艺的目的与作用: 1)预烘:烘干Si片表面的水分,并采用打底膜(如HMDS)使Si片表面的亲水性改善为疏水性,其目的都是增强光刻胶与Si片表面的粘附性。 2)前烘:Soft Bake,目的是使胶膜干燥,增加胶膜与SiO2 (Al膜等)的粘附性及耐磨性...
答:光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域(qūyù)的操作,可以分以下步骤进行: 1)表面(biǎomiàn)准备:清洁和干燥晶圆表面; 2)前烘 :使衬底脱水(tuō shuǐ)。 3)打底胶:提高(tí gāo)光刻胶的粘附性。 4)涂光刻胶:在晶圆表面建立薄而均匀并且无缺陷的光刻胶膜; 5)软烘焙:加热蒸发掉...
光刻（英语：photolithography）工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。基本信息 下面以衬底上金属连接的刻蚀为例讲解...