光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。光刻流程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干 方法：湿法清洗+去离子水冲洗+...
璞璘科技创始人葛海雄去年年底曾表示：从最近的报道来看，佳能公司的纳米压印各项技术指标已经与DUV的光刻技术持平，有一些指标甚至达到了EUV的光刻技术。关于纳米压印技术的未来，葛海雄表示，依据佳能提供的技术参数、指标，纳米压印有可能为半导体领域创造一些有益的补充，因为ASML、尼康的半导体光刻设备已经在产线上被广...
这其中关键技术之一的光刻技术也从最初使用类似照相设备中的放大镜头,到当今的浸没式1.35高数值孔径,具备自动控制和调整成像质量、直径达半米 多、重达半吨的巨型镜头组。光刻的作用是将半导体电路的图形逐层印制到硅片上,它的思想来源于历史悠久的印刷技术,所不同的是印刷通过使用墨水在纸上产生光反射率的变化来记...
1.1 接触式光刻技术 接触式光刻技术出现于20世纪60年代,是小规模集成电路时期最主要的光刻技术,有着良率低、成本高的特点。 接触式光刻示意图 接触式光刻技术中掩膜版与晶圆表面的光刻胶直接接触,一次曝光整个衬底,掩膜版图形与晶圆图形的尺寸关系是1:1,分辨率可达亚微米级。接触...
这一篇我们讲解光刻技术和相关的设备。先介绍光刻机的基本原理和工艺过程,再来详细说明各种光刻机的特点和应用。 第一部分:光刻的工艺过程 光刻是将掩模版上的图形转移到涂有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上,通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。
光刻技术作为一项精密的微纳米加工工艺,通过将设计好的微小图案转移到光敏感的材料表面,为各个领域的微细结构制造提供了技术支持。其核心在于利用光刻机,将精准的图案投射到光敏感材料上,从而实现微小结构的精确制造。 在当今科技时代,光刻技术是推动半导体制造、光学器件、生物医学等领域发展的重要技术支撑。在半导体制...
1)UV光刻机:用于0.25微米及以上制程节点,UV为紫外光,光源类型包括g-line、i-line等。 2)干式DUV光刻机:可用于65nm-0.35μm制程节点,干式DUV是指在光刻过程中使用干式透镜和深紫外线光源,该技术在20世纪90年代初得到了广泛应用。 3)浸入式DUV光刻机:可用于7nm-45nm制程节点,随着芯片制造技术对先进制程的需求持...
光刻技术最早于1958年开始应用,并实现了平面晶体管的制作。光刻是IC制程中最重要的模块,是集成电路中关键的工艺技术最早的构想来源于印刷技术中的照相制版。 光刻的过程是在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程,是将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。
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