带内隧穿结在半导体电子器件和光电子器件中较为常见,如在欧姆接触架构中,电子在n型半导体材料与金属之间的输运方式即是通过带内隧穿完成;影响载流子带内隧穿效率的关键因素是隧穿结区的宽度,因此为了减小隧穿结区的宽度,需要采用重掺杂的半导体层。 带间隧穿即电子从p型半导体层的价带,途径禁带,最终到达n-型半导...
基于该隧穿结构具有二维导电材料的叉指隧穿结,因此其制备过程可以实现与光学纳米天线工艺兼容,同时利用叉指结构中的电子非对称激发的方式,可以避免传统隧穿结中的多模干涉效应,从而提高外量子效率,因此,这样的隧穿结构在光电子器件中具有很好的应用前景。
有鉴于此,近日,英国曼彻斯特大学Roman Gorbachev,Vladimir I. Fal’ko和Andrey V. Kretinin(共同通讯作者)等利用扫描探针显微成像和隧道输运测量来探索滑移铁电性的开关行为。本文观察到具有复合铁电/非极性绝缘体势垒的铁电隧穿结中明显的双极性开关行为,并通过...
清华AM: 用离子凝胶电极在近生理环境下研究蛋白质隧穿结 生物分子内的电荷传导一直是理解生物体内电子传输路径的关键一步,但目前关于蛋白分子的电荷传导机理有两种机理解释:不受温度影响的相干隧穿和受温度影响的非相干隧穿(在大多数情况下,也被称为跃迁),前者通常在固相分子器件中观测到,而后者通常通过电化学的手段...
为解决上述问题,天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结的发光波长为280nm的DUV LED,如图1所示。由于1 nm厚的SiO2层中隧穿区宽度减小,且电场强度增强,载流子带间隧穿效率和相应的空穴注入效率得到了提高,并使器件获得了更好的电流扩展效应。空穴注入效率的提升也有助于降低器...
3) multiple tunneling junction 多隧穿结4) NP tunnel N/P隧穿结5) resonant tunnelling structure 共振隧穿结 例句>> 6) resonant tunneling structure 共振隧穿结构 1. Piezoresistance coefficient of resonant tunneling structures; 基于共振隧穿结构的压阻系数 2. Research on the stability of ...
形成磁性隧穿结的方法【专利摘要】公开了一种用于制造MRAM位的方法,所述方法包括沉积间隔层,所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件,防止对MRAM位的多层造成损伤。
一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法说明:本发明公开一种用于多结LED的隧穿结、多结LED及其制备方法,所述隧穿结包括:重掺杂P型AlX...专利查询请上爱企查
摘要 本发明提供一种隧穿结及制备方法、多结红外LED外延结构及制备方法,隧穿结由下至上依次包括第一过渡层、隧穿结材料层和第二过渡层,所述第一过渡层和第二过渡层中均包含有Al组份,且所述第一过渡层和第二过渡层均掺杂有不同类型的掺杂剂,所述第一过渡层和第二过渡层均为掺杂浓度渐变层,且均为Al组份渐...