基于该隧穿结构具有二维导电材料的叉指隧穿结,因此其制备过程可以实现与光学纳米天线工艺兼容,同时利用叉指结构中的电子非对称激发的方式,可以避免传统隧穿结中的多模干涉效应,从而提高外量子效率,因此,这样的隧穿结构在光电子器件中具有很好的应用前景。
相比之下,隧道式结构体现了更加坚固的框架,其中固有的结构设计可以适应阳离子的存在并且通常可以存在多种阳离子。近日,来自石溪大学的Amy C. Marschilok、Kenneth J. Takeuchi和Esther S. Takeuchi(共同通讯作者)团队探讨了隧道式结构的可行性,以便在储能系统中嵌入和脱嵌阳离子。文章介绍了对隧道结构的α-MnO2材料...
一种宽带隙多异质结隧穿结结构专利信息由爱企查专利频道提供,一种宽带隙多异质结隧穿结结构说明:本实用新型公开一种宽带隙多异质结隧穿结结构,由四个功能层组成;第一功能层具有第一带隙和第一型掺...专利查询请上爱企查
该隧穿结结构包括隧穿复合层,在所述隧穿复合层一侧设有致密层、另一侧设有传输层,其中,隧穿复合层采用金属材料制成。本发明的隧穿结结构可有效减小叠层电池的开路电压损耗,提升钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池的填充因子,提高钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的光电转换效率,且制备工艺简单,成本更加低廉,适用于大面积...
是:一种采用隧穿结的指叉型背接触太阳电池结构,所述太阳电池结构采用n型单晶硅片作为基底,n型单晶硅片正表面设置有具有减反射效果的“金字塔”形状的微结构,微结构表面沉积具有减反射及钝化效果的正面钝化减反层,n型单晶硅片背面为化学抛光的平面结构,n型单晶硅片背面设置有一层1～3nm的超薄氧化硅膜层作为隧穿层;...
1.一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池,其特征在于,包括衬底(1)、遂穿层(2)、区域一(3)、区域二(4)、电极一(5)和电极二(6)。 2.如权利要求1所述的一种双面隧穿层结构的局部掺杂电池,其特征在于,所述衬底(1)为硅基片,遂穿层(2)为超薄氧化硅层,区域一(3)为高浓度硼掺杂多晶硅层,区域二(4)为低浓度...
铁电隧道结作为非易失性存储器的重要候选者,近年来引起了人们广泛的研究兴趣。铁电隧道结通常为三层结构,左右两侧为金属电极,中间势垒层为铁电材料。中间铁电层在外加电场下发生极化方向反转时通常会导致铁电隧道结的隧穿电阻发生很大变化,表现出高电导和低电导两个不同的导电状态。这两个态可以用作二进制存储单元的...
一种高质量异质隧穿结的外延结构及制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种高质量异质隧穿结的外延结构及制备方法说明:本发明公开了一种高质量异质隧穿结外延结构及制备方法,包括以下步骤:在MOCVD反应室中,在Ga...专利查询请上爱企查
原理:带间隧穿Band-to-band tunneling简称BTBT BTBT是在1934年Zener提出,pn结在反偏状态下,n区导带中未被电子占用空能态与p区价带中被电子占用能态有相同能量,势垒区窄时,电子从p区价带隧穿到n区导带; 如下图所示: 双栅结构Si隧穿场效应晶体管
图1 二维各向异性带带隧穿模型及TFET的器件结构。 作者比较了二维第五主族 BiAs 和 BiSb 的隧穿输运性能,如图 2 所示。由于 2D BiAs 的横向电子态表现出较弱能量色散,BiAs 在同一能级上具有更多的隧穿电子态,从而产生了比二维 BiSb 更大的透射本征值和隧穿电流。