近日，苗金水团队设计出一款基于二维原子晶体和硅半导体的范德华异质结隧穿晶体管，借此在栅极与漏极电压协同调控下，研究了隧穿电子的输运行为，获得了高电流密度和低功耗的晶体管。据介绍，通过电容耦合的栅极静电场调控半导体异质结的能带结构，可以有效调控电子的带带隧穿效率。实验中，隧穿晶体管获得了最低 6.4...
这种技术曾经广泛用于描述超导隧道结的输运。现在这种方法已成为描述包括库仑阻断效应的小隧道结输运的基本理论方法。 1.隧穿哈密顿 * 3.2.4 量子化电荷隧穿 在隧穿哈密顿方法中。隧道势垒作为对于比较大(包括电极)系统的微扰。可以通过时间相关的微扰论计算从左边到右边(以及从右边到左边)粒子转移速率来描述隧穿...
可以在MLG上施加外部脉冲电压来极化α-In2Se3,并且可以通过顶部金属电极(Cr/Au:10/50 nm)和MLG读出隧穿电流。器件的具体布局在OM图像(图2b)中给出,其中相对较厚的MLG有利于提高电输运性能。详细的横截面STEM图像如图2c所示,显示了vdW半金属/铁电半导体/绝缘体异质结的层状堆叠结构。vdW FTJ是通过PPC辅助和确定...
有鉴于此,近日,瑞士苏黎世联邦理工学院Lukas Novotny和西班牙巴塞罗那科技学院F. Javier García de Abajo(共同通讯作者)等合作使用了一个隧穿过程,涉及过渡金属硫族化合物(TMDs)中的激子。本文研究了由六方氮化硼分隔的石墨烯和金电极与相邻TMD单层组成的隧穿结,并观察到在与TMD激子能量对应的偏置电压下,电流-电压测...
【技术贴】隧穿氧化层及多晶硅层的设备 TOPCon 背表面创新的采用了一层 1~2nm 厚的氧化硅形成隧穿氧化层,然后在沉积一层磷掺杂的多晶硅层。这种结构通过四种机制对载流子产生选择性:①重掺杂的多晶硅层 与衬底的功函数不同,在界面处产生积累层,积累层阻止空穴进入氧化层,帮助电子进入氧化层。②空穴隧穿需要 4.5...
本发明总体上涉及衬底中或衬底上的裂纹结构,并且特别地涉及可用作电子纳米间隙和隧穿结的所谓的裂纹结(即在用于DNA测序的器件中)。 背景技术: 如在通过引用以其整体合并于此的Dubois, V.、Niklaus, F.和Stemme, G.的 Crack-Defined Electronic Nanogaps. Advanced Materials 28, 2178-2182,doi: 10. 1002/adma...
科学家通过最新隧道显微技术发现,水分子可以通过消耗很少能量方式,来改变其化学键结构,用时仅为阿秒级(瞬间)。#化学 #微观世界 #量子力学 #量子隧穿 #扫描隧道显微镜 1374 195 433 128 举报发布时间:2024-05-21 06:24 全部评论 大家都在搜: 东方 ... 就像茅山道士穿墙术,需要先打散自己的结构,然后还要...
硅电池效率。作为III - V复合串联太阳能电池无W效应,转换效率显著提高。由于III - V复合材料的相容性,化学元素如磷和砷可以掺入 Ⅲ- V复合光伏提高能带隙得到了带隙合适的光伏材料。太阳光谱。这对选择具有重要意义。一个适当的子细胞的带隙Œ1。能带隙在GaInP /砷化镓/砷化铟镓/锗4-j串联太阳能电池的...
TOPCon电池(隧穿氧化钝化层电池)是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池技术,其电池结构为N型硅衬底电池,背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和金属接触复合,为N-PERT电池转换效率进一步提升提供了更大的空间。据研究,随着P型电池接近...
中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请一项名为"一种功能多晶硅隧穿氧化硅钝化接触结构及其制备方法"的专利,申请日期为2023-12-29。 专利摘要显示,本发明提供一种功能多晶硅隧穿氧化硅钝化接触结构(TOPCon)及其制备方法,功能多晶硅隧穿氧化硅钝化接触结构包括依次层叠设置的晶硅衬底、纳米氧化硅和功能多晶硅结构,功能多...