第四章杂质工程与能带工程
能带工程是指通过对材料中能级分布和电子结构的分析，设计和制作具有特定能隙的半导体材料工程。这种工程可以为制造半导体器件提供基础，例如晶体管、太阳能电池、LED等。能带工程是半导体技术发展的重要方向。其研究范围涉及从材料制备到器件制造的全过程。通过高水平的能带工程技术，可以制造出具有高效能转换、...
因此,有机半导体在理论基础和制备技术上均为其实现能带工程提供了可能。 日前,中科院长春应用化学研究所王海波和闫东航研究团队借鉴无机半导体能带工程的思想,在有机电子学中采用有机量子阱结构制备了高电子迁移率晶体管。宽带隙半导体六联苯(p-6P)和窄带隙半导体(VOPc)被分别用做量子阱的势垒和势阱,利用量子阱对载流...
二、能带工程 2.1能带工程概念 能带工程是指通过调节晶体结构和组分,改变材料的能带结构和电子特性。通过能带工程,可以调控材料的导电性、光电性和磁性等性质,实现对材料性能的精确调控。 2.2能带工程的方法与实现 -界面和异质结构调控:通过构建界面和异质结构,可以在材料内部形成新的能带结构,从而实现特定的电子传输与能...
缺陷工程:如何控制和利用硅中的杂质和缺陷 杂质工程:通过对杂质及其浓度在半导体中空间分布的有效控制来实现对半导体电特性(载流子浓度、迁移率、少子寿命等)和微缺陷的精确控制。 能带工程:通过固溶体技术和超晶格技术对半导体材料的能带结构进行合理“剪裁”,从而满足器件的需要。缺陷工程、杂质工程和能带工程促进了半导...
能带（Energy Band）晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子...
4. 杂志工程和能带工程 杂质工程和能带工程 前言 通过对杂质品种和浓度在半导体中的空间分布的有效控制来实现半导体的使用价值，是半导体工艺的核心内容之一。通过这种方法来实现对半导体特性的精确控制（载流子密度与迁移率及少数载流子寿命）。这就被称为杂质工程 随着固溶体技术和超晶格技术的问世和发展，...
第四章缺陷工程、杂质工程与能带工程1缺陷工程:如何控制和利用硅中的杂质和缺陷杂质工程:通过对杂质及其浓度在半导体中空间分布的有效控制来实现对半导体电特性(载流子浓度、迁移率、少子寿命等)和微缺陷的精确控制。能带工程:通过固溶体技术和超晶格技术对半导体材料的能带结构进行合理“剪裁”,从而满足器件的需要。 缺陷...
1、 杂质工程和能带工程前言通过对杂质品种和浓度在半导体中的空间分布的有效控制来实现半导体的使用价值,是半导体工艺的核心内容之一。通过这种方法来实现对半导体特性的精确控制(载流子密度与迁移率及少数载流子寿命)。这就被称为杂质工程随着固溶体技术和超晶格技术的问世和发展,半导体工艺增加了对材料的能带结构进行合理...