第四章杂质工程与能带工程
4. 杂志工程和能带工程 杂质工程和能带工程 前言 通过对杂质品种和浓度在半导体中的空间分布的有效控制来实现半导体的使用价值，是半导体工艺的核心内容之一。通过这种方法来实现对半导体特性的精确控制（载流子密度与迁移率及少数载流子寿命）。这就被称为杂质工程 随着固溶体技术和超晶格技术的问世和发展，...
能带工程是指通过调控材料的电子能带结构来实现特定性质的设计。在材料的电子能带结构中,禁带宽度、带隙位置和带限等因素决定了材料的光电性质。通过调控这些因素,我们可以设计出具有特定光电性质的材料。能带工程在太阳能电池、光电器件等领域有广泛应用。 在电子输运和能带工程的研究中,材料科学和凝聚态物理领域的专家们...
能带工程是指通过人工剪裁的办法对材料的能带结构进行调控,使这些材料具有不同的物理化学性能。一个典型的例子是采用不同带隙宽度 AlGaAs 和 GaAs 制备异质结构,利用其能量势阱对电子的束缚作用,使电子在平行于界面方向上形成准二维电子气体(2DEG)。利用 2DEG 形成的沟道能够制备高电子迁移率晶体管(HEMT)。在这基础...
二、能带工程 2.1能带工程概念 能带工程是指通过调节晶体结构和组分,改变材料的能带结构和电子特性。通过能带工程,可以调控材料的导电性、光电性和磁性等性质,实现对材料性能的精确调控。 2.2能带工程的方法与实现 -界面和异质结构调控:通过构建界面和异质结构,可以在材料内部形成新的能带结构,从而实现特定的电子传输与能...
第四章缺陷工程、杂质工程与能带工程1缺陷工程:如何控制和利用硅中的杂质和缺陷杂质工程:通过对杂质及其浓度在半导体中空间分布的有效控制来实现对半导体电特性(载流子浓度、迁移率、少子寿命等)和微缺陷的精确控制。能带工程:通过固溶体技术和超晶格技术对半导体材料的能带结构进行合理“剪裁”,从而满足器件的需要。 缺陷...
能带（Energy Band）晶体中大量的原子集合在一起，而且原子之间距离很近，以硅为例，每立方厘米的体积内有5×1022个原子，原子之间的最短距离为0.235nm。致使离原子核较远的壳层发生交叠，壳层交叠使电子不再局限于某个原子上，有可能转移到相邻原子的相似壳层上去，也可能从相邻原子运动到更远的原子...
1、 杂质工程和能带工程前言通过对杂质品种和浓度在半导体中的空间分布的有效控制来实现半导体的使用价值,是半导体工艺的核心内容之一。通过这种方法来实现对半导体特性的精确控制(载流子密度与迁移率及少数载流子寿命)。这就被称为杂质工程随着固溶体技术和超晶格技术的问世和发展,半导体工艺增加了对材料的能带结构进行合理...
2钙钛矿光伏的能带工程: 2.1钙钛矿的掺杂方法 半导体中的掺杂会直接改变材料诸多性质,例如复合率、载流子扩散长度、界面能垒和接触电阻等,可以说半导体器件工作的核心就是掺杂工程。因此,了解半导体的掺杂机制对于预测其电子特性以合理设计高效光伏器件至关重要。钙钛矿光伏器件虽然具有与传统太阳电池类似的结构,但其掺杂方式...