场效应管,场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输
一、场效应管(MOSFET) 1.1 简介和物理结构 MOS管是一种基本的半导体器件,其它常见的名称还有MOS、场效应管、MOSFET等,全名是:‘金属氧化物半导体场效应晶体管’,对应的英文名:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,取首字母即为MOSFET,进一步简化为MOS。与三极管类似,在电路中主要做开关使用,下图展示的为...
产品种类 场效应管(MOSFET) RoHS 是 晶体管极性 P-Channel 通道数量 1Channel Vds-漏源极击穿电压 8V Id-连续漏极电流 5.8A RdsOn-漏源导通电阻 35mOhms Pd-功率耗散 1.7W 工作温度 -55℃~+150℃ 长度 2.9mm 宽度 1.6mm 高度 1.45mm 单位重量 8mg 可售卖地 全国 型号 SI2305CDS-T1...
场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全称大写首字母,简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件(即利用栅极电压来控制漏极电流),导电情况取决于栅极电压的高低。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗...
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4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 五、场效应管的测试 1、结型场效应管的管脚识别 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,...
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目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管(Field Effect Transistor,简称FET),由结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET,1952年诞生)和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管(Meta Oxide Semiconductor FET,简称MOSFET,1960年诞生)组成。