FET全称为Filed Effect Transistor,场效应管。是一种靠电场效应控制其电流大小的半导体器件,基本无电流。 分类: 1、MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应管) 2、JFET(结型场效应管) 特点: 1、由于基本无电流,所以消耗的功率特别小 2、只有多子(电子或空穴)参与导电,所以称FET为单极型器件 3、体积小、重量轻、耗电...
由于结型场效应管(JFET)工作依赖于由输入栅极电压产生的电场,因此称为场效应。 场效应晶体管(JFET)图 结型场效应管(JFET)有3 个端子,分别命名为Source(源极)、Drain(漏极)、Gate (栅极) 1、源极 是与通道的一端形成连接的终端。通常情况下,源极端子提供多数电荷载流子,会产生通过结型场效应管(JFET)的电流。
正常工作时，所有场效应管的门极，都没有电流。因此，其漏极电流一定等于源极电流。场效应管的核心原理是，GS两端的电压，控制漏极电流iD。因此其也被称为“压控型”器件。而双极型晶体管BJT属于流控型器件，即iB控制iC。不论增强型或耗尽型场效应管，对于N沟道器件，iD为电子电流，因此UDS必须为正值。为了保证...
一、场效应管的工作原理 场效应管主要由三个区域组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。在正常工作状态下，栅极电压控制着源极和漏极之间的电流，从而实现对场效应管的控制。当栅极电压低于阈值电压（Threshold Voltage）时，栅极与沟道之间没有导电通道，电子不能从漏极流向源极，场效应管处于截止状...
业内专业人士经常用“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”这句话来描述场效应管工作原理。 场效应管的放大电路 场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点,因此经常作为多级放大电流的输入级,与三极管一样,根据输入、输出回路公共端选择不同,将场效应管放电电路分为共源、...
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID, 用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源...
场效应管主要由三个区域组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。在正常工作状态下，栅极电压控制着源极和漏极之间的电流，从而实现对场效应管的控制。当栅极电压低于阈值电压（Threshold Voltage）时，栅极与沟道之间没有导电通道，电子不能从漏极流向源极，场效应管处于截止状态，相当于一个绝缘体。当...
下面将详细介绍场效应管的工作原理和使用方法。一、场效应管的结构场效应管主要由源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）三个极组成。源极和漏极通常是由相同的半导体材料制成，栅极则是由绝缘材料制成。当栅极和源极之间加上电压时，电荷会在源极和漏极之间形成一条导电沟道，从而产生电流。二、场效应管...
3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。 MOS场效应管的工作原理_场效应管测量方法---场效应管工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路...
箭头指向的为N沟道结型场效应管 三、结型场效应管工作原理 1.Ugs对导电沟道的控制(Uds=0) ①当Ugs=0时 耗尽层窄,导电沟道宽 ②当Ugs>0时 PN结正偏,耗尽层变窄, 导电沟道变宽(但是影响小,因为本就导电沟道就很宽) (3)UGS(关闭) PN结反偏,耗尽层变宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大 ...