MOS管：工作原理基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道电阻，从而控制源极和漏极之间的电流。当栅极电压高于一定阈值时，沟道形成，电流可以流通；当栅极电压低于阈值时，沟道消失，电流被截止。MCU：工作原理基于程序控制，通过执行存储在存储器中的指令来完成各种控制任务。MCU内部的微处理器核心负责指令的取指、...
这里就要提到MCU了，MCU IO的输出电压一般在3.3V，这个电压可能无法打开MOS管，所以MCU不能直接控制MOS管，这时就要利用三极管了，三极管的基极电压只要高于Ube的死区电压就可以导通，硅材料 的三极管死区电压一般在0.6V。由于三极管的带负载能力没有MOS管强，所以一般选择MCU连接三极管后，再控制MOS管来控制负载设备。...
对于很多小功率的MOS管,单片机是可以直接驱动的,因为其开启电压Vth要求不是很高,但是对于大多数的MOS管,其开启电压在2.5-4.5V之间,甚至更高,单片机直接驱动可能会出现问题,所以就需要通过三极管来转换一下。下图就是单片机通过单片机来驱动MOS管的例子。 MCU为什么可以直接驱动三极管? 三极管是流控型器件,具有三个工作状...
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MCU为什么不能直接驱动MOS管?#抖音小助手 #硬件设计 - 雷哥硬件于20211224发布在抖音,已经收获了19.4万个喜欢,来抖音,记录美好生活!
Mos在控制器电路中的工作状态:开通过程(由截止到导通的过渡过程)、导通状态、关断过程(由导通到截止的过渡过程)、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出...
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众所周知起名字是个很难的事情,这个文章不仅仅写了开漏模式还是有一点别的知识的。 首先就是我觉得配享太庙的推挽电路,两个性能一样的三极管在你推我拉之中将负载提升,我只能称之为:叼! 推挽输出:可以输出高低电平,连接数字器件。在STM32中推挽电路由两个MOS管组成:输出高电平时P-MOS管导通,引脚联通VDD(3.3v...
双管冗余驱动方案在MOS的GS和DS开路失效下,系统的功能异常,在双管冗余驱动方案上进一步改进,将MOS和驱动线路加倍,双路MOS并联在一起,可以保证在MOS的GS和DS开路失效条件下,系统功能正常。 图4:四管冗余驱动线路 最后,虽然本文给出的示例都是低侧MOS驱动,在提供隔离驱动电压轨下,该方案也可以拓展到高侧MOS驱动。双...