理想情况下,HBM PHY需要支持所有HBM存储器功能,如频率比,数据速率,存储器大小,伪通道模式,传统模式,DBI,DM等.HBM PHY可以在子系统级别和块级别进行验证,具有不同的,供应商特定的内存控制器和HBM内存。 验证策略 图1验证策略流程 要验证HBM PHY设计,我们需要以下组件:HBM内存控制器或DFI驱动程序UVC(通用)验证组件)...
HBM PHY结构主要由以下几个部分组成:数据接口、时钟接口、控制接口和电源接口。其中,数据接口是最重要的部分,用于传输数据和地址信息。时钟接口提供时钟信号来同步数据传输。控制接口负责控制数据的读写和其他操作。电源接口则提供电源供电,保证正常运行。 HBM PHY的数据接口采用了多通道设计,每个通道由一个数据线对和一...
HBM(高带宽内存)技术因其卓越的内存传输速率而备受关注,而创意电子的HBM3E控制器与PHY IP则能支持高达9.2Gbps的传输速率,极大满足了高性能计算和深度学习的需求。创意电子的首席运营官Aditya Raina表示,这一控制器与PHY IP的成功整合,不仅凸显了技术的先进性,更促进了不同场景下的应用创新。这对于数据中心的不断升级...
IT之家 9 月 24 日消息，创意电子 GUC 今日宣布其 3nm 工艺 HBM3E 内存控制器与物理层（PHY）IP 已获业界重要 CSP 云服务提供商和多家 HPC 解决方案供应商采用，该 ASIC 预计将于今年流片，支持 9.2Gbps HBM3E 内存。IT之家注：创意电子是重要 ASIC 设计服务厂商之一，其最大股东（持股 35%）和唯一晶圆...
从高性能HBM PHY和控制器IP到先进的中介层和封装设计解决方案,Alphawave Semi提供了创建尖端计算系统的基本构建模块。通过提供一流的PHY和控制器IP,Alphawave Semi使客户能够针对其特定应用需求优化内存子系统性能、可扩展性和功效。 HBM4有望进一步提升以内存为中心的架构的性能和效率。HBM4将实现更快、更节能的人工...
因为 Intel 将高速 I/O 的 SerDes 都集成在基础芯片中了,其作用有点儿类似 AMD 的 IOD。这些高速 IO 包括 HBM PHY、XeLink PHY、PCIe 5.0,以及,这一节的重点:Cache。这些电路都比较适合 5nm 以上的工艺制造,将它们与计算核心解耦后重新打包在一个制程之内是相当合理的选择。
近日,创意电子(GUC)宣布其自主研发的3nm工艺HBM3E内存控制器与物理层(PHY)IP引起了业内的广泛关注。这一新技术不仅获得了多家重要的云服务提供商(CSP)和高性能计算(HPC)解决方案供应商的认可,更是在即将到来的流片阶段中,支持高达9.2Gbps的HBM3E内存传输速率。这表明,HBM3E技术在数据中心中正逐渐成为不可或缺的...
创意电子：3nm HBM3E控制器与PHYIP引领云服务企业数据中心革新 创意电子推出3nm HBM3E控制器与PHY IP，助力数据中心发展 在近期的消息中，创意电子GUC正式宣布其最新研发的3nm工艺HBM3E内存控制器及物理层（PHY）IP，已经获得了多家云服务企业和高性能计算（HPC）解决方案提供商的关注与采用。这款ASIC芯片预计将在...
目前,台积电的 3DFabric 存储器联盟目前正致力于确保 HBM3E/HBM3 Gen2 存储器与 CoWoS 封装、12-Hi HBM3/HBM3E 封装与高级封装、HBM PHY 的 UCIe 以及无缓冲区 HBM(由三星率先推出的一项技术)兼容。 美光公司今年早些时候表示,"HBMNext "内存将于 2026 年左右面世,每堆栈容量介于 36 GB 和 64 GB 之间,...
proteanTecs的技术现已在创意电子的5nm HBM3 PHY中经过硅验证，速度高达8.4 Gbps。在任务模式下的数据传输期间，I/O信号质量受到持续监控，无需任何重新训练或中断。每个信号通道均受到单独监控，从而可以在凸块和走线缺陷导致系统运行故障之前识别并修复它们，进而延长芯片的使用寿命。创意电子总裁戴尚义博士表示：“...