GCNMOS相较于GGNMOS的优点是可以有效减低寄生参数的影响,广泛应用于高速场合,但是其面积需求也大,并且不能应用于高压,负压等复杂场合。同时关于GCNMOS的布局布线也有相对应的要求,其实ESD电路的关键点还是在版图上(有机会了再展开讲讲)。 这期也只是讲解了GCNMOS的基本原理,现阶段GCNMOS已经开始利用栅体双耦合的效应以...
网络驱动方式 网络释义 1. 驱动方式 ...不管是采闸极接地方式(GGNMOS)或者是 采闸极驱动方式(GCNMOS),是目前在积体电路中所最常用的初级静电放电 … www.docin.com|基于 1 个网页
GCNMOS 是一种改进的 ESD 防护结构,其基本工作原理是,当输入电压超过一定的阈值时,NMOS 的栅极和漏极之间会形成一个击穿通道,将过高的电压引导到地线。 优点: 1. **触发电压稳定**:GCNMOS 的触发电压相对稳定,不易受到制程变化的影响。 2. **防护效果更好**:GCNMOS 的防护效果通常比 GGNMOS 更好,能够承受...
描述 在芯片级ESD防护中最普遍的器件就是增强型NMOS(下文中的NMOS都是增强型),接下来的几期会浅谈一下NMOS在ESD防护中的作用与设计思路。 目前主流的ESD-NMOS有两大设计思路:GGNMOS(Gate Ground NMOS),GCNMOS(Gate Couple NMOS)。其中GGNMOS最为常见,设计最为简单。但是其巨大的寄生电容使其在serdes与AD-DA等...
gcNMOS 为了实现较好的ESD保护(大于2000V HBM),需要OB2263采用较大尺寸的多指型ggNMOS管。但是,由于电流开启和通过指型结构的电流分布是非均匀的,在ESD性能和NMOS指型的个数之间很难达到线性关系。在前述的图2.24中,如果触发电压(VT1)比二级击穿电压高(VT2)高,第一级指型先打开,泄放所有的ESD电流,在其他指型...
gcnmosesd保护电路电源nmos结构 ———GCNMOS结构电源和地之间的ESD保护电路设计辽宁大学学报自然科学版第35卷第1期2008年JOURNALOFLIAONINGUNIVERSITYNaturalSciencesEditionVol.35No.12008GCNMOS结构电源和地之间的ESD付强13,张帅,玲131(1.辽宁大学物理学院,辽宁,四川成都610054;3110162)摘要:ESD,研究用于电源和地之间GCNMO...
http://www.paper.edu.cn - 1 - 中国中国科技论文在线科技论文在线 GCNMOS 结构结构 IO 引脚引脚 ESD 保护电路设计保护电路设计 杭金华,周健军**(上海交通大学微电子学院,上海 200240) 作者简介:杭金华,男,助理工程师,主要研究方向:开关电源设计 通信联系人:周健军,男,教授,主要研究方向:无线通讯模拟射频集成...
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0.5um CMOSI艺下GCNMOSESD保护电路设计
分析GCNMOS的特点和工作机理,设计一种基于CSMC0.5um2P3MCMOSiE艺下改进的ESD保护电路,并对版图设计进行了优化。测试结果表明,芯片的抗EsD能力达到3600V,实现了对芯片... 孙天奇,张宗江,邹衡君,... - 《硅谷》 被引量: 1发表: 2010年 ESD保护电路及芯片 对ESD能量进行泄放,达到保护内部电路的目的,在无需ESD...