NMOS主要有两种ESD防护应用:一种是之前讲的GGNMOS,另一种是GCNMOS(Gate Coupling NMOS)。现阶段也已经出现了(Bulk Coupling NMOS),接下来这两种ESD防护器件都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同,GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路,而GCNMOS则利用了NMOS器件的沟道作为泄放通道。GCNMOS开...
**GGNMOS**: GGNMOS 是一种常用的 ESD 防护结构,其基本工作原理是,当输入电压超过一定的阈值时,NMOS 的栅极和源极之间会形成一个击穿通道,将过高的电压引导到地线,从而保护内部电路。 优点: 1. **设计简单**:GGNMOS 结构相对简单,易于设计和实现。 2. **防护效果好**:在大多数情况下,GGNMOS 能够有效地...
NMOS主要有两种ESD防护应用:一种是之前讲的GGNMOS,另一种是GCNMOS(Gate Coupling NMOS)。现阶段也已经出现了(Bulk Coupling NMOS),接下来这两种ESD防护器件都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同,GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路,而GCNMOS则利用了NMOS器件的沟道作为泄放通道。GCNMOS开...
而GCNMOS与GGNMOS完全是两种工作原理,GCNMOS的应用场景更为广阔,使用更为灵活,且相较于GGNMOS晦涩复杂且玄学的器件级仿真,GCNMOS可以在cadence中进行电路级仿真,使得其在电路设计人员眼中的可靠性大幅提高(GGNMOS也一样靠谱,但是仿不出来结果。。。没法交差。。。) GGNMOS与GCNMOS其本质的差异是工作原理的不同,这期...
gcNMOS ;;; 为了实现较好的ESD保护(大于2000V HBM),需要OB2263采用较大尺寸的多指型ggNMOS管。但是,由于电流开启和通过指型结构的电流分布是非均匀的,在ESD性能和NMOS指型的个数之间很难达到线性关系。在前述的图2.24中,如果触发电压(VT1)比二级击穿电压高(VT2)高,第一级指型先打开,泄放所有的ESD电流,在...
;;; 为了实现较好的ESD保护(大于2000V HBM),需要OB2263采用较大尺寸的多指型ggNMOS管。但是,由于电流开启和通过指型结构的电流分布是非均匀的,在ESD性能和NMOS指型的个数之间很难达到线性关系。在前述的图2.24中,如果触发电压(VT1)比二级击穿电压高(VT2)高,第一级指型先打开,泄放所有的ESD电流,在其他指型...
gcNMOS 为了实现较好的ESD保护(大于2000V HBM),需要OB2263采用较大尺寸的多指型ggNMOS管。但是,由于电流开启和通过指型结构的电流分布是非均匀的,在ESD性能和NMOS指型的个数之间很难达到线性关系。在前述的图2.24中,如果触发电压(VT1)比二级击穿电压高(VT2)高,第一级指型先打开,泄放所有的ESD电流,在其他指型...