闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,当其中一个三极管正偏时,就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻,使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的...
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举例1:如上面2.2节分析,NMOS漏极和衬底形成的PN结被反向击穿,导致NMOS漏极向衬底注入空穴,此时在P-sub中的多子guardring—P-ring由于接低电位,所以能很好的吸收衬底的空穴,从而防止闩锁形; 举例2:如上面2.4节分析,NMOS源极和衬底形成的PN结正偏,导致NMOS源极向衬底注入电子,此时在P-sub中的少子guardring—N-rin...
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在CMOS集成电路中,闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应(Latch-up),以及有效抑制闩锁效应的方法。 一、背景知识 (1)双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT) 图1展示了典型的NPN型BJT。我们以此为例展开分析。 BJT工作时多子和少子都参与运行,因此成为双极型晶体管,BJT为三端器件,包括...
闩锁的读音是"shuānsuǒ"。1."闩锁"的字义和构造 "闩锁"是由两个汉字组成的词语，左边的"闩"（shuān）是一个独立的汉字，右边的"锁"（suǒ）也是一个独立的汉字。"闩"是门窗上的一种装置，用来锁住门窗，起到防止进出的作用。"锁"是一种用来固定或关闭物品的器具，通常由金属制成。因此，"闩锁...
闩锁(Latch-up) 闩锁就是指CMOS器件所固有的寄生可控硅(SCR)被触发导通,在电源与地之间形成低阻抗大电流通路的现象。这种寄生SCR结构存在于CMOS器件内的各个部分,包括输入端、输出端、内部反相器等。当在电源端、输入端或输出端有较强的浪涌冲击时,就可能触发这些可控硅,产生闩锁。当闩锁电流达到一定强度持续一段时...