钙钛矿基近红外光电探测器综述 近年来,具有ABX₃晶体结构的有机金属卤化物钙钛矿材料因其可调带隙、高吸收系数、长载流子传输距离等光电学特性而在光电探测领域表现出良好应用前景,尤其是基于纯Sn或者Sn/Pb混合阳离子制备的杂化钙钛矿在760～1050 nm范围的近红外光电响应性能非常优异,展现出高灵敏度、低暗电流和高探测...
得益于APD的内部光电流增益、快速响应、紧凑尺寸、耐久性和低成本,APD光电探测器在探测率上可以比PIN光电探测器高一个数量级,所以目前主流激光雷达主要以雪崩光电探测器为主。 图2 (a)InGaAs MSM光电探测器结构;(b)InGaAs PIN光电探测器结构;(c)InGaAs雪崩光电探测器结构;(d)目标图片;(e)32×32像元APD图像 整...
/poiIePhv1.24poIeRPhvl 响应波长响应波长: 探测器可能引起本征吸收的入射光的最长波长。当入探测器可能引起本征吸收的入射光的最长波长。当入 射波长比响应波长短时,会发生强烈的吸收射波长比响应波长短时,会发生强烈的吸收.l 暗电流暗电流: 无光照时无光照时,电路上的电流电路上的电流.l响应时间响应时间: 入射...
高性能光电探测器,尤其是红外光电探测器,在光通信、热成像、医疗、军事和环境监控等领域有着重要的应用。根据探测波长的分类,红外光电探测器可以分为近红外(0.78-3μm)和中红外(3-30μm)光电探测器等。光通信波段属于近红外波段的范围,因此本文主要讨论近红外光电探测器。目前,基于铟镓砷(InGaAs)和汞镉碲(HgCdTe)...
InGaAs焦平面光电探测器 近年来,国内外研究机构在短波红外InGaAs焦平面探测领域开展了大量研究。国外对于InGaAs红外焦平面器件的研究起步比较早,许多厂商都已经拥有成熟的系列产品。例如作为行业的领导者,美国SUI公司于2003年首次推出了高性能的焦平面探测器,2009年该公司在DARPA项目支持下做到640 × 512面阵,光敏元间距为...
InGaAs焦平面光电探测器 近年来,国内外研究机构在短波红外InGaAs焦平面探测领域开展了大量研究。国外对于InGaAs红外焦平面器件的研究起步比较早,许多厂商都已经拥有成熟的系列产品。例如作为行业的领导者,美国SUI公司于2003年首次推出了高性能的焦平面探测器,2009年该公司在DARPA项目支持下做到640 × 512面阵,光敏元间距为...
InGaAs焦平面光电探测器 近年来,国内外研究机构在短波红外InGaAs焦平面探测领域开展了大量研究。国外对于InGaAs红外焦平面器件的研究起步比较早,许多厂商都已经拥有成熟的系列产品。例如作为行业的领导者,美国SUI公司于2003年首次推出了高性能的焦平面探测器,2009年该公司在DARPA项目支持下做到640 × 512面阵,光敏元间距为...
InGaAs焦平面光电探测器 近年来,国内外研究机构在短波红外InGaAs焦平面探测领域开展了大量研究。国外对于InGaAs红外焦平面器件的研究起步比较早,许多厂商都已经拥有成熟的系列产品。例如作为行业的领导者,美国SUI公司于2003年首次推出了高性能的焦平面探测器,2009年该公司在DARPA项目支持下做到640 × 512面阵,光敏元间距为...
InGaAs焦平面光电探测器 近年来,国内外研究机构在短波红外InGaAs焦平面探测领域开展了大量研究。国外对于InGaAs红外焦平面器件的研究起步比较早,许多厂商都已经拥有成熟的系列产品。例如作为行业的领导者,美国SUI公司于2003年首次推出了高性能的焦平面探测器,2009年该公司在DARPA项目支持下做到640 × 512面阵,光敏元间距为...
近年来,具有ABX₃晶体结构的有机金属卤化物钙钛矿材料因其可调带隙、高吸收系数、长载流子传输距离等光电学特性而在光电探测领域表现出良好应用前景,尤其是基于纯Sn或者Sn/Pb混合阳离子制备的杂化钙钛矿在760～1050 nm范围的近红外光电响应性能非常优异,展现出高灵敏度、低暗电流和高探测率等多方面优势。为进一步拓宽...