不过这种坩埚结构总体上是有效地抑制了多晶生长，从而避免了多晶对单晶的影响。另外，该锥台还起到扩径作用，即单晶将沿着锥台径向扩径，直至与内壁等径。二、碳化硅晶体生长过程中的微管缺陷控制 SiC晶体中的结构缺陷主要包括微管、螺位错(screw-dislocation)、刃位错(threading．edge dislocation)、堆垛层错、小角晶界...