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电迁移,电迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象。分别为发生在相邻导体表面的如常见的银离子迁移和发生在金属导体内部的金属化电子迁移。
事实上,电迁移是电路故障的主要原因。 金属原子从某些区域向其它区域的电迁移,在半导体互连器件中形成的空隙和小丘 电流增大、温度升高、机械应力增加、导体存在缺陷以及杂质的存在都会加速电迁移。这些影响电迁移的因素可通过Black方程进行捕获——这是一种用平均故障时间(MTTF)来描述该现象的经验阿仑尼乌斯(Arrhenius)方...
电迁移(EM)是一种分子位移,是由于导电电子和离子在一段时间内的动量转移而引起的。当电流密度较高时会发生这种现象,这会导致金属离子向电子流方向漂移。EM通常发生在现场设备部署多年之后。 由于电迁移效应,金属线可能会爆裂并短路。EM会增加导线电阻,这会导致电压下降,从而导致设备降速。由于短路或开路,它还可能导...
电迁移现象:金属线上有空洞(void)或者凸起、小丘(hillock)。 图1、高电流导致的互连薄膜铝线和互连焊点内的电迁移失效[1] 影响:使互连线有效宽度变窄、甚至断裂或者短路,反映在集成电路芯片上即为芯片失效。金属焊点失效,影响器件封装。 电迁移原理: 日常生活中的家用金属导线由于没有良好的散热,稍大的电流强度就会...
PCB中的电迁移:树突状生长 PCB中会发生类似的影响,从而导致两种可能的电迁移形式: 如上所述,沿着表面的电迁移 半导体盐的形成,导致树状树状结构的电化学生长 这些影响由不同的物理过程控制。两个导体之间的电流密度可能会很低,因为与IC互连的横截面相比,金属走线的尺寸非常大。在第一种情况下,迁移会在高电流密度...
图1 电迁移示意图 1.2电迁移理论(原子扩散模型) 当金属导体中通过大电流密度时,静电电场将驱动电子从阴极向阳极运动。高速运动的电子将与金属原子发生碰撞,原子受到猛烈的电子冲击,这就形成了电迁移理论中的电子风力 。此外,金属原子还到受静电场力 的作用,如图2所示。 图2 电迁移理论模型图 两者的合力即电迁移...
电迁移简写为EM,electromigration,这是一种很基本的电学现象,可能在电路课上讲的少,反而物理课上会听过。 EM对现在的芯片设计有很大影响,已经成为后端设计一个不可忽视的重要现象了。今天我就来简单介绍什么是EM,以及它会带来的影响。 EM在很早就被发现了,甚至在芯片诞生之前人们就发现了EM现象,但一直到芯片出现之...
三、电迁移测试流程 1.选择测试芯片或器件,并准备好所需的测试设备。 2.将测试芯片或器件连接到测试电路中。 3.施加特定电压和电流,以模拟实际工作条件。 4.在测试过程中,持续测量电路中的电阻值。 5.根据测试结果分析电迁移现象,并探讨是否存在问题以及可能的解决方法。 四、常见问题和解决方法 1.测试结果不...
电迁移:原子由阴极转移到阳极 背流效应:在电迁移过程当中,原子由阴极转移到阳极且在阳极聚集,产生压应力,相反方向产生拉应力。 UBM:微凸点下的金属化层 前言 根据11月7日羊城大讲堂宣讲会中林晓玲教授所做报告《先进工艺芯片失效分析及典型案例》展开研究,通过对电迁移现象进行深入研究,分析电迁移对芯片失效的影响,...