形成替位式固溶体必要条件:溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径,若溶质原子半径与溶剂原子半径相差大于15%,则可能性很小。(几何有利因素) 大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体 间隙式固溶体杂质存在间隙中相关知识点: 试题来源: 解析 替位式 反馈...
硅中的杂质有两种类型,即替位式和间隙式。它们在硅晶格中替代硅原子构成硅杂质原子,影响着硅的性质。尤其是电子态,替位式和间隙式ib族杂质都有重要作用。 替位式ib族杂质主要指硅晶格中替代硅原子的离子,其中最常见的是硅中的硼离子(B3+)。硼离子能够在硅晶格中替代硅原子,同时也改变了硅的结构,使硅的能带...
替位式扩散指的是替位式杂质原子从一个替位位置运动到相邻的另一个替位位置,如图2.6所示。A3242ELHLT只有当相邻格点处有一个空位时,替位杂质原子才有可能进入邻近格点而填充这个空位。因此,替位原子的运动必须以其近邻处有空位存在为前提。所以,替位式杂质原子的扩散要比间隙式原子扩散慢得多,并且温度越高,杂质...
替位式固溶体及填隙固溶体的形成及测定条件 固溶体又称混晶。固溶体存在着广阔的固溶区范围,同时不符合化合物的定组分律。X射线结构分析结果表明,一种(或一些)原子进入另一种(或另一些)原子所组成的三维空间点阵的分布方式可能有三种:替位式、填隙式和缺位式。如图所示: 此外,在金属合金体系中还存在有双原子对...
百度试题 结果1 题目什么就是替位式杂质,它得形成特点就是什么?相关知识点: 试题来源: 解析 解:杂质进入半导体后杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质,特点就是杂质原子大小与被取代晶格原子大小相似,价电子壳结构比较相近 反馈 收藏
[解答] 占据正常晶格位置的替位式杂质原子,它的原子半径和电荷量都或多或少与母体原子半径和电荷量不同。这种不同就会引起杂质原子附近的晶格发生畸变,使得畸变区出现空位的几率大大增加,进而使得杂质原子跳向空位的等待时间大为减少,加大了杂质原子的扩散速度。 按照国家规定实行审批制的建设项目,建设单位应当在报送...
对替位杂质来说,在晶格位置上势能相对最低,在间隙处势能相对最高,如图52所示是替位式扩散势能曲线。替位杂质在晶格格点位置上的势能相对极小,相邻的两个格点之间,对替位杂质来讲是势能极大位置,即替位杂质要从一个晶格格点位置运动到相邻的格点位置上,必须要越过一个能量势垒,势垒高度为Ws。根据对称性原理,替位...
Pr 替位式掺杂 GaAs 光电性能的第一性原理研究李 聪 孙霄霄 于 淼 付斯年(牡丹江师范学院 ,黑龙江 牡丹江 157012) [摘 要] 采用密度泛函理论下的平面波赝势方法 , 建立 GaAs 及 Pr - GaAs 模型并对其能带结构与吸收光谱进行计算 。 结果表明稀土 Pr 的4f 态电子使得 GaAs 的能带结构发生改变 , 价带电子...
在下不知怎么进行替位式、中心式、间隙式掺杂,盼大神指点。最好截个图 返回小木虫查看更多分享至: 更多 今日热帖HSE+SOC ... Material... ElasticP... vasp中+U进... 想求助下Wien... MS中hbar怎... 洒泪求助cast... 使用MS计算分波...精华...