为了解决晶圆尺度多层二硫化钼逐层外延的问题,张广宇研究员课题组自主设计和搭建了4英寸多源化学气相沉积系统,发展了氧辅助的外延技术来调控生长动力学过程,利用衬底的近邻效应克服了热力学的基本限制和逐层外延的困难,最终实现了4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜(最高可达6层)的可控逐层外延生长。 四英寸多层MoS2晶...