NMOS参数型号 40N02的电特性: (如无特殊要求,TA=25℃) NMOS参数型号 40N02的参数特性曲线图: NMOS参数型号 40N02的封装外形尺寸图: 一直专注于半导体器件的应用服务,代理分销各品牌的可控硅,集成电路,场效应管等半导体器件! 经过多年磨合,积累了丰富的半导体从业经验,且打造了一支具有高水平的技术队伍。公司以...
系列场效应管型号技术参数 以下为一些常见的场效应管型号及其技术参数: 1.IRFZ44N: - 导通电阻(Rds(on)):17mΩ -最大承受电流(Id):50A -最大耗散功率(Pd):94W - 最大栅极源极电压(Vgss):±20V - 栅极阈值电压(Vgs(th)):2V-4V - 最大栅极漏极电压(Vdss):55V 2.VN10LP: - 导通电阻(Rds(on)...
系列场效应管型号技术参数 型号 材料 管脚 用途 参数 3DJ6 NJ 低频放大 20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关 600V11A150W0.36 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关 140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关 60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关 60V12A40W 70/165nS0.3...
场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种电子管,根据电场调制导电性质而得名。它的主要特点是输入电阻高、输入电容小、噪声系数低、体积小,并且不需要输入电流即可控制输出电流。 二、场效应管常见型号及参数 下表列举了场效应管常见型号及参数,包括芯片尺寸、工作温度、漏电流、饱和电流等...
1、场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 ...
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。为帮助大家深入了解,本文将介绍关于场效应管(FET)型号及主要参数表达含义。
根据结构和工作方式的不同,场效应管可分为以下几种型号: 1. JFET(结型场效应管):JFET的控制电极与晶体管的发射极相同,通过控制栅极与漏极之间的反向电压来控制漏极电流。 2. MOSFET(金属氧化物半导体场效应管):MOSFET的栅极和漏极之间被氧化物隔绝,通过栅极电压控制漏极电流...
二、逆变器场效应管的常见型号 1. IRF3205 IRF3205是一款常用的大功率MOS场效应管,最大承受电压为55V,初始导通电阻为8mΩ。IRF3205经过高温焊接和低导通电阻设计,具有优异的耐用性和可靠性,常用于具有高功率要求的电力应用中。 2. IRFP250 IRFP250是一款电池充电器、电子发生器、电...