目的是为了保证器件结构的致密性和稳定性。单晶硅是由多晶硅提纯而来的,多晶硅内有很多晶向的小单元,而单晶硅只有一种晶向。常用到的是<111>和<100>晶向。因为半导体是薄膜工艺,要在硅衬底上生长外延层,在外延层中做器件,用单晶硅做衬底,保证生长的外延层的方向和衬底一致,保证了结构的致密性,稳定性,在整个晶体中都...
在港城大从事博士后研究工作的高丹鹏表示,研究提出的器件结构是当前钙钛矿太阳能电池中最简单的设计,对推动这类电池的产业化有极大优势。团队提出的创新技术无需惯用的有机物质传输层,不仅能有效降低生产过程的物料成本,还可大幅简化生产步骤。研究显示,团队在改善二氧化锡层的氧空位缺陷后,器件的能源转化效率已超2...
描述 四种半导体器件基本结构 按施敏教授的观点,半导体器件有四个最基本的结构单元:金半接触、PN结、异质结、MOS结构。所有的半导体器件都可以看作是这四种基本结构的组合,比如BJT由两个背靠背的PN结构成,MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。 金半接触 由金属和半导体接触而成,根据接触势垒不同,可以分为整流特性的肖特基...
随着集成度的要求,器件尺寸在变小,相应的也会出现各种问题,如短沟道效应(DIBL、迁移率退化等)、栅极漏电增大、栅控能力下降等诸多问题,于是大家不断地从材料、结构、工艺这三个方面寻找方法,为下一代的工艺制程提供方案。每次材料、工艺结构的改变,对器件模型...
IGBT的正面MOS结构包括栅极和发射区,其中栅的结构从平面栅(Planar)发展为沟槽栅(Trench)。(1)平面栅。平面栅有较好的栅氧化层质量,栅电容较小,不会在栅极下方造成电场集中而影响耐压,经过优化也可改善器件工作特性,如降低开关损耗等,在高压IGBT(3300V及以下电压等级)中被普遍采用。(2)沟槽栅。沟槽栅结构将多晶硅...
AlGaN/GaN HEMT器件结构如图7所示。漏源电压VDS使得沟道内产生横向电场,在横向电场作用下,二维电子气沿异质结界面进行输运形成漏极输出电流IDS。栅极与AlGaN势垒层进行肖特基接触,通过栅极电压VGS的大小控制AlGaN/GaN异质结中势阱的深度,改变沟道中二维电子气面密度的大小,从而控制...
1、第2章 CMOS工艺中的器件结构1. 引言本章是为非“电科”专业学生而写。在“设计与制造分离”的背景下,集成电路设计者是在厂家提供的“开发套件”(PDK)的基础上工作的,不需要从物理学开始学习器件的实现机理和制造细节。但为了学习版图设计,需要了解典型器件的结构。目前常见的集成电路工艺有以下几种:标准CMOS,...
1单层器件结构 在器件的ITO阳极和金属阴极之间,制备一层有机半导体薄膜作为发光层,这就是最简单的单层OLED,其结构如下图所示,它仅由阳极、有机半导体发光层和阴极组成,结构非常简单,制备方便。这种结构在聚合物有机电致发光器件中较为常用。 2双层器件结构 ...
晶圆代工器件结构形成与功能实现 特色工艺平台晶圆代工技术与市场 晶圆代工行业源于半导体产业链的专业化分工,晶圆代工企业不涵盖芯片设计环节,专门负责晶圆制造,为芯片产品公司提供晶圆代工服务。晶圆代工行业属于技术、资本、人才密集型行业,需要大量的资本支出和人才投入,具有较高的进入壁垒。
低压电器元器件结构与原理 低压电器通常是指在交流电压小于1000V或直流电压小于1500V的电路中起保护、控制、调节、转换等作用的电气设备。一、低压电器的基本结构 1. 电磁机构 电磁机构是电磁式电器的主要组成部分之一,由线圈、动铁心(衔铁)和静铁心三个基本部分组成。常用的电磁机构形式 作用是利用电磁线圈的通电或...