反常霍尔效应是一种重要的电子自旋输运现象,起源于铁磁材料或者杂质的自旋轨道耦合效应,在信息存储和传感器技术中具有重要应用。来源机制可以分成贝利曲率驱动的内禀机制和杂质散射相关的外禀机制两种。 磁性拓扑材料中非平庸的拓扑能带可以提供大贝利曲...
他们在磁性外尔半金属Co3Sn2S2内禀巨反常霍尔效应的基础上,采用低价电子数的Fe取代Co引入外禀的杂质散射贡献,大幅增强了体系的反常霍尔电导和反常霍尔角,实现了内/外禀双机制增强的设计目标。 实验结果显示,在微量Fe掺杂的Co3-xFexSn2S2中最大的零场反常霍尔电导可达1850 S/cm,零场反常霍尔角可达33%(图2)。
进一步分析观察到了层厚调控的量子反常霍尔效应拓扑相变。在实验基础上,研究团队揭示了MTI体系的磁性成因以及拓扑表面态能带对Van Vleck自旋极化的调控机制。该研究不仅实现了基于量子反常霍尔效应的金属绝缘体相变,也为MTI体系所赋能的新奇物理效应研究奠定了基础。此项工作由上海科技大学、中国科学技术大学与美国加州大学...
科研进展——反常霍尔效应的研究进展 反常霍尔效应是最基本的电子输运性质之一。虽然反常霍尔效应早在1881年就被Edwin Hall发现,但其微观机制的建立却经历了一百余年的漫长历程。本世纪初,牛谦等人的理论工作揭示了反常霍尔效应的内禀机制与材料能带结构的贝里曲率有关,并得到了广泛的实验支持,反常霍尔效应也因此成为当今...
摘要 本发明涉及一种区分光致反常霍尔效应本征机制和非本征机制的方法,按照如下步骤实现:选择符合预设条件的闪锌矿半导体量子阱材料;在相同的生长条件下生长两个不同阱宽的半导体量子阱;分别测量两个半导体量子阱的光致反常霍尔效应电流以及普通光电流信号,得到光致反常霍尔电导对普通光电导信号的比值;分别测量两个半导体...
进一步分析观察到了层厚调控的量子反常霍尔效应拓扑相变。在实验基础上,研究团队揭示了MTI体系的磁性成因以及拓扑表面态能带对Van Vleck自旋极化的调控机制。该研究不仅实现了基于量子反常霍尔效应的金属绝缘体相变,也为MTI体系所赋能的新奇物理效应研究奠定了...
反常霍尔效应是一种重要的电子自旋输运现象,起源于铁磁材料或者杂质的自旋轨道耦合效应,在信息存储和传感器技术中具有重要应用。来源机制可以分成贝利曲率驱动的内禀机制和杂质散射相关的外禀机制两种。 磁性拓扑材料中非平庸的拓扑能带可以提供大贝利曲...
《反常霍尔效应中的物理机制》是依托上海交通大学,由刘世勇担任项目负责人的青年科学基金项目。项目摘要 近年来,自旋轨道耦合导致的反常霍尔效应的研究成为凝聚态物理研究的热点课题之一。本项目将发展一套基于非平衡格林函数的理论方法来定量研究铁磁、自旋轨道耦合半导体等系统中的反常霍尔效应。我们将分析在扩散、弱局域...