势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅 AlGaN/GaN MOS-HEMT 的影响# 刘红侠,陈树鹏* 5 10 15 20 (西安电子科技大学微电子学院)摘要:本文分析了 HEMT 器件的工作机理和器件的基本物理模型,对器件特性进行了二维数值仿真分析,重点研究了器件势垒层掺杂浓度、栅极金属功函数对器件特性的影响。研究结果表明:...
压电极化和A1GaN势垒层掺杂对AlGa..N/GaN异质结构二维电子气的浓度,分布,面密度以及子带分布等性质的影响.结果表明:二维电子气性质强烈依赖于极化效应,不考虑A1GaN势垒层掺杂,当Al组分为0.3时,由极化导致的二维电子气浓度达1.6×10"cm～,其中压电极化对二维电子气贡献为0.7×10"cm～,略小于自发极化的贡献(O.9...
本发明提供了一种具有势垒层表面P型掺杂的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管;自下而上设置有:半绝缘衬底(1),AlN成核层(2),GaN缓冲层(3)和AlGaN势垒层(4);所述AlGaN势垒层(4)的上表面从左到右分别设有源电极(5),栅电极(6)和漏电极(7);从栅电极(6)与源电极(5)之间的所述AlGaN势垒层(4)的表面处向下...
提出了一种具有双势垒层表面P型掺杂区的PDBS-HEMT(P-type Doped Barrier Surface HEMT),通过设计栅源与栅漏间势垒层表面处的P型掺杂区,对器件内部电场与耗尽层分布进行了调制.交直流参数仿真分析表明,栅漏间掺杂区优化了栅极拐角处的电场峰值,缓解了电场集聚,击穿电压增加了35.9%,并且器件耐压性可随掺杂区掺杂...
摘要: 本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型,对器件特性进行了二维数值仿真分析,重点研究了器件势垒层掺杂浓度,栅极金属功函数对器件特性的影响.研究结果表明:增加势垒层掺杂浓度,减小栅金属功函数可以增加沟道的载流子浓度.结合能带理论,深入分析了产生该现象的原因.关键词:...
帽子层对势垒层掺杂的GaN基HEMT电学性能影响模拟
结果,石墨烯的费米能级移动到狄拉克点以上,而二维COF的导带最小值则极度稳定。结果是显著降低了石墨烯片和2D COF之间的电子注入势垒。我们的研究凸显了受控COFs的化学掺杂在调节光电应用的电荷注入和传输特性中可以发挥的关键作用。 Figure 1. COF366-OMe COF及其构建单元、DMA链接器和TAPP核的化学结构...
在AlGaN/GaN突变异质结结构中,即使不对AlGaN势垒层进行任何掺杂,也可产生大量二维电子气。( )A.正确B.错误
例如,通过掺杂浓度的调整,可以改变肖特基二极管结构的势垒高度和宽度,进而改变其导电性能。 五、结论 综上所述,掺杂浓度是影响肖特基二极管势垒高度的因素之一,外延层掺杂浓度增加会使势垒高度减小。在肖特基二极管的应用中,掺杂浓度的调整对其性能的优...
两种不同的半导体薄层周期性地重叠,若窄带材料(势阱)的厚度很小,可以和电子的德布罗意波长相比,而宽带材料(势垒)的厚度较大,称这种结构为超晶格结构。 相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称...