有一pn结,请简单回答下面问题(1)说明内建势垒的来由,并说明其温度关系(室温附近);(2)什么因素决定“理想反向饱和电流”和“实际反向饱和电流”的大小(3)用高于带隙的光照射该pn结,在短路状态和开路状态下,内建势垒将如何变化?(4)请设计一种在高频条件下使用的pn结二极管,应考虑哪些因素?为什么 相关知识点: ...
参数\phi_{B0}是金属-半导体接触的理想势垒高度,它是金属中电子向半导体侧运动时遇到的势垒,该势垒称为肖特基势垒。理想情况下,肖特基势垒\phi_{B0}=\phi_{m}-\chi 在半导体一侧,V_{bi}为内建电势。这个势垒与pn结势垒类似,是导带电子向金属侧运动遇到的势垒。内建电势表示为V_{bi}=\phi_{b0}-\phi_n ...
将提取的内建势减去EF-E0的差值,即得到了常规HEMT结构二极管管,和F处理HEMT结构二极管的肖特基势垒高度。常规HEMT结构二极管的势垒高度为1.29eV,F注入HEMT结构二极管势垒高度为1.90eV,在进行F等离子体注入后,肖特基势垒高度比为注入升高了0.61eV。但是这在使用热电子发射理论提取的势垒高度上却无法看到,F注入HEMT结构二极...
你要知道一点，正向偏置的电压都落在内部的耗尽层上了，对不对？你正向偏置的时候内部的耗尽层宽度是小于零偏置的，对不对？耗尽层越款，抗的电压是不是越大？所以正向偏置的电势差小于零偏置时候的内建电势，对不对？
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。 参考答案:小;大;大;小;大;小 点击查看答案进入题库练习 查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧 无需下载 立即使用 你可...
两边的多数载流子分别往对方扩散→电离杂质中心和载流子形成空间电荷→产生电场(内建电场)→电场阻挡载流子的扩散→当电场的阻挡作用与载流子的扩散作用达到平衡时,即成为稳定状态(空间电荷层的厚度也就一定)。 此时扩散运动和漂移运动达到动态平衡。 1、PN结能带图与空间电荷区 ...
画出外加正向、反向偏压时p-n结能带图,标出内建电场方向Ein、势垒高度。相关知识点: 试题来源: 解析 答: 在外加电压下,p-n结的能带图(正向偏压VF) 外加电压的电势差与p-n结的接触电势差方向相反,势垒高度由qVD降低为q(VD-VF),势垒宽度减小。 在外加电压下,p-n结的能带图(反向偏压VR)...
PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(小),内建电场的最大值就越(大),内建电势Vbi就越(大),反向饱和电流I就越(小)[P20],势垒电容CT就越( 大 ),雪崩
pn结击穿共有三种:___。判断题1、pn结的内建电势决定于掺杂浓度、、材料禁带宽度和工作温度。〔√﹚2、pn结的势垒电容和扩散电容都随外加电压而变化,说明它们是可
刷刷题APP(shuashuati.com)是专业的大学生刷题搜题拍题答疑工具,刷刷题提供PN 结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越 ,内建电场的最大值越 ,内建电势 V bi 就越 ,反向饱和电流就越 ,势垒电容 C T 就越 ,雪崩击穿电压就越 。的答案解析,刷刷题为用户提供专业的考试题库练习