摘要 一种降低SiO2/SiC界面态密度的方法,涉及SiC(碳化硅)半导体器件的性能改进技术领域。其处理过程是:第一步,将SiC样品清洗,并氧化形成一层SiO2薄膜;第二步,将样品装入电子回旋共振微波等离子体系统到放电室样品台中,第三步,抽取真空并将样品台升温;第四步,开启微波源,向放电室通入NH3产生氨等离子体对氧化后的样...
摘要 本发明公开了一种低界面态密度的SiCMOS电容制作方法,主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是:对N-SiC外延材料进行清洗处理;离子注入N+离子到外延层中后,干氧氧化一层SiO2;对氧化后的样片,依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理;采用化学气相淀积在冷处理...
低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法说明:本发明涉及一种低界面态密度碳化硅功率半导体器件的制备方法。按照本发明提供的技术方案,一种低界面...专利查询请上爱企查
1.一种降低SiO<Sub>2</Sub>/SiC界面态密度的方法:首先将碳化硅样品清洗,并氧化形成一层SiO<Sub>2</Sub>薄膜;然后对氧化后的样品进行氨等离子体退火处理;在对氧化后的样品进行氨等离子体退火处理中采用了电子回旋共振微波等离子体系统,该电子回旋共振微波等离子体系统主要包括:等离子体系统、微波源、石英放电室、装...
界面态密度的测量采用LM.Terman方法口],将理论模型输入计算机,通过自动跟踪Au(Ge,Ni)台金囤lIn05Ga0lTAs的钝化结构近似的方法,将衬底材料及钝化膜的参数,测得的高频c—V特性参数输入已编制程序的计算机中,可绘出界面态密度在禁带中的分布曲线.2.3降低界面态密度的方法由xps分析可知,siO2/In.53Ga..7As界面的...
刷刷题APP(shuashuati.com)是专业的大学生刷题搜题拍题答疑工具,刷刷题提供以下除了(),其它方法都可以有效降低界面态密度。A.含氢的气氛中退火B.高温下氮气中退火C.高温下氩气中退火D.引入杂质的答案解析,刷刷题为用户提供专业的考试题库练习。一分钟将考试题Word文档/
刷刷题APP(shuashuati.com)是专业的大学生刷题搜题拍题答疑工具,刷刷题提供CMOS集成电路的栅氧化层要求:()。通常用()氧化降低其界面态密度,用()氧化降低其针孔密度和提高介电击穿强度。的答案解析,刷刷题为用户提供专业的考试题库练习。一分钟将考试题Word文档/Ex
高低频跨导测定小尺寸MOSFET的界面态密度,高低频跨导测定小尺寸MOSFET的界面态密度,高低频,高,低频,跨导,测定,小,尺寸,MOSFET,界面,态君,已阅读到文档的结尾了呢~~ 立即下载 更多 喜欢该文档的用户还喜欢chxbill09 分享于2014-08-15 08:32更多>> 相关文档 ...
一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法说明:本发明涉及半导体器件性能改进技术领域,一种降低SiCMOS界面态密度的表面预处理方法,包括以下...专利查询请上爱企查
以下除了,其它方法都可以有效降低界面态密度A.含氢的气氛中退火B.高温下氮气中退火C.高温下氩气中退火D.引入杂质