QORVO 的 TGF2978-SM 是 20 W 分立式 GaN on SiC HEMT,工作频率范围为直流至 12 GHz。它的输出功率为19W,线性增益为11dB,工作电压为32V。该器件采用低热阻行业标准 3 x 4 mm 表面贴装 QFN 封装。它在航空电子、海洋和天气预报等军事和商业雷达行业有应用。 产品规格 产品详情 零件号 TGF2978-SM 制造商...
开发套件 TGF2978-SMEVB1 湿度敏感性 Yes 产品类型 RFJFETTransistors 工厂包装数量 50 子类别 Transistors 零件号别名 1127373 单位重量 123mg 可售卖地 全国 类型 GaNSiCHEMT 型号 TGF2978-SM Qorvo 三十多年来,我们一直引领未来的高级解决方案。从智能手机到宇宙飞船,Qorvo 一直引领市场,推动国防/...
开发套件 TGF2978-SMEVB1 湿度敏感性 Yes 产品类型 RF JFET Transistors 工厂包装数量 50 子类别 Transistors 零件号别名 1127373 单位重量 123 mg 可售卖地 全国 类型 GaN SiC HEMT 型号 TGF2978-SM 进口品牌功率管(内匹配、外匹配)、功放芯片、功放模块等国产替代方案解决商! 价格说明 价格:商品...
开发套件 TGF2978-SMEVB1 湿度敏感性 Yes 产品类型 RF JFET Transistors 工厂包装数量 50 子类别 Transistors 零件号别名 1127373 单位重量 123 mg 可售卖地 全国 类型 GaN SiC HEMT 型号 TGF2978-SM 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能...
型号: TGF2978-SM 批号: 19+ 封装: FBGA QFP 数量: 6000 QQ: 120336652 制造商: Qorvo 产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 发货限制 此产品可能需要其他文件才能从美国出口。 RoHS: 是 晶体管类型: HEMT 技术: GaN SiC 增益: 11 dB 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 32 V Vg...
TGF2978-SM EVB3.1 Mounting Type SMD/Through hole Description Standard Manufacturing Date Code New ITEM INTEGRATED CIRCUIT IC CHIP CONDITION NEW AND ORIGINAL PART NUMBER TGF2978-SM EVB3.1 Package Standard DATE CODE Online Chat for more information Lead time Online Chat for more information Datasheet ...
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