摘要:onsemi的NVBG EliteSiC mosfet以较小的封装尺寸提供高速开关和低电容。 onsemi的EliteSiC MOSFET在节省空间的设计中提供闪电般快速的开关,静音功率。EliteSiC运行平稳,保持信号干净,环境和平,同时提供惊人的速度和永不妥协的可靠性。 低导通电阻和微小的足迹收缩电容和栅极电荷,包装在一个小的包装。EliteSiC压缩...
型号 NVBG080N120SC1 技术参数 品牌: ONSEMI 型号: NVBG080N120SC1 封装: TO-263-7 数量: 22400 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: SiC 资格: AEC-Q101 商标: ON Semiconductor 产品类型: MOSFET 工厂包装数量: 800 子类别: MOSFETs 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体...
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安森美半导体NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET采用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低开阻和紧凑的芯片尺寸,以确保低电容和栅极电荷。NVBG080N120SC1 MOSFET具有高效率、快速工作频率、增加功率密度、减少电磁干扰(EMI)和减小系统尺寸等特点。典型的应用包括车载充电器和...
NVBG080N120SC1 厂商: ONSEMI(安森美) 封装: TO263-8 描述: TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7 数据手册:下载NVBG080N120SC1.pdf立即购买 数据手册 价格&库存 NVBG080N120SC1 数据手册 MOSFET – SiC Power, Single N-Channel, D2PAK-7L 1200 V, 80 mW, 30 A NVBG080N120SC1 Features • ...
NVBG095N65S3F [ONSEMI] Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V , 36 A, 95 mΩ, D2PAK 7 lead; 型号: NVBG095N65S3F 厂家: ONSEMI 描述: Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET® III, FRFET®, 650 V , 36 A, 95 mΩ, D2PAK 7 lead 文件: ...
NVBLS0D8N08X NVBLS0D7N06C NVBLS0D5N04M8TXG NVBLS0D5N04M8 NVBLS0D5N04CTXG NVBLS0D5N04C NVBLS001N06C NVBGS6D5N15MC NVBGS4D1N15MC NVBGS1D2N08H NVBG190N65S3F NVBG160N120SC1_V01 NVBG160N120SC1 NVBG150N65S3F NVBG110N65S3F NVBG1000N170M1 NVBG095N65S3F NVBG095...
嘉立创SMT补贴 全站 活动 第九届立创电赛:参赛赢2万现金大奖详情 品牌名称onsemi(安森美) 商品型号 NVBG080N120SC1 商品编号 C898818 商品封装 TO-263-7 包装方式 编带 商品毛重 2.3克(g) 商品参数 参数纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) ...
必应词典为您提供nvbg的释义,网络释义: 非血管化骨移植(non-vascularized bone graft);非血管化游离骨移植;
NVBG080N120SC1碳化硅(SiC)MOSFET,N沟道-EleteSiC,80 mΩ,1200 V,M1,D2PAK−7L 概述 EliteSiC MOSFET采用了一种全新的技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括最高的效率、更快的操作频率、增加的功率密度、减...