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型号 NTJD4152PT1G 技术参数 品牌: Infineon 型号: NTJD4152PT1G 批号: 21+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 8.5V 长度: 6.4mm 宽度: 9.6mm 高度: 1.4mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价...
型号: NTJD4152PT1G 封装: SOT363 批号: 22+ 数量: 2000 类别: 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商: onsemi FET 类型: 2个 P 沟道(双) FET 功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 功率- 最大值: 272mW 工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: ...
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产品说明 NTJD4152PT1G 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 是否跨境出口专供货源 否 包装 咨询客服 可售卖地 全国 用途 咨询客服 类型 通信IC 型号 NTJD4152PT1G 货号 咨询客服 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同...
型号: NTJD4152PT1G 批号: 19+ 封装: SC70-6 数量: 90000 QQ: 1414240391 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-363-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 20 V Id-连续漏极电流: 0.88 A Rds On-漏源...
品牌 安森美 封装 SOT363 数量 16800 QQ 392511231 产品识别码 a03de0df-04b2-11ec-a9e2-00163e1552d4-31 定货号 08116 产品类型 普通 上架时间 2021-08-24T16:09:38 可售卖地 全国 型号 NTJD4152PT1G 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: NTJD4152PT1G 批号: 封装: SOT363 数量: 16800 QQ: 392511231...
NTJD4152PT1G 产品详情 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: NTJD4152PT1G 批号: 1846+ 封装: SOT363 数量: 9645 QQ: 3007509532 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-363-6 通道数量: 2 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压...
型号 NTJD4152PT1G PDF资料 电子管-场效应管-NTJD4152PT1G-ON/安森美-NA-20+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线...
型号 NTJD4152PT1G PDF资料 电子管-场效应管-NTJD4152PT1G-ON/安森美-SC-88-21+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成...