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型号 MMUN2111LT1G 1.电子元器件影响因素甚多,价位无长期稳定,有涨有跌,当天价格及库存数量请咨询客服人员!2.提供货物方式:①快递(默认中通)如需其它请联系店主 ②支持上门自提 ③附近配送企业QQ:2881919100 联系方式:13418822396(微信同号)深圳市铭顺信电子有限公司 成立于2008年,是军工研究所特定元器件指定供货商...
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MMUN2111LT1G 是一款PNP数字晶体管, 设计用于替代单器件及外部电阻偏置阵列。偏置电阻晶体管 (BRT)包含1个晶体管和偏置阵列, 由2个电阻器, 1个串联基极电阻器, 和1个基极发射极电阻器组成。BRT将它们集成到单体设备上。 简化电路设计 减少电路板占用空间 减少组件数量 技术规格 晶体管极性 单个PN...
型号 MMUN2111LT1G 技术参数 品牌: ON(安森美) 型号: MMUN2111LT1G 封装: SOT-23(SOT-23-3) 批号: 23+ 数量: 200000 制造商: onsemi 产品种类: 双极晶体管 - 预偏置 RoHS: 是 配置: Single 晶体管极性: PNP 典型输入电阻器: 10 kOhms 典型电阻器比率: 1 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-...
型号 SMMUN2111LT1G PNP 双极数字晶体管 (BRT) 说明 此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既...