在采用“Highside drift”掩膜的离子注入完成,且光刻胶从硅片表面被清除后,下一个掩膜工序S405采用“Lowside drift”掩膜。通过该掩膜,在步骤S406进行了一系列的离子注入。其中注入最深是低端LDMOS晶体管中的受子(例如硼)Resurf层(例如313)注入,它的注入浓度与能量可能与高端LDMOS晶体管中Resurf层注入所采用的不同。
是现有隔离型NLDMOS器件在高压侧开关(High-side switch)和低压侧开关(Low-side switch)的应用原理图;如隔离型NLDMOS器件1la的漏极通过负载102a连接到电源电压VDD、源极接地,栅极连接控制信号,隔离型NLDMOS器件1la为低压侧开关应用。
类型 High Side 集成电路(IC) 开关 Current Mode PWM Controllers Voltage Converter Toggle Step Down Switching Diode Voltage Mode PWM Controllers DC/DC Converter Low Side Rocker Powered Device - PD Switching Regulator Synchronous Step-Down Converter Miniature Large 电源模块 Step-Down Converter 稳压IC 通信...
比 结隔离更容易实现的绝缘介质 BOX 埋层隔离技术有效地把低压 CMOS 器件与 high side 和 low side 功率器件隔离开,抑制了感应过电压和闩锁等问题的出现,这允许器件设计过程中免去价 格昂贵的深阱隔离工艺。SOI 工艺关键的优势在于低功耗,当前 ULSI 芯片中的功率危机导致其成为半导体工业中 的主流技术,逐步替代...
如图2所示为基于三层resurf技术设计的一种的pldmos器件结构。 然而,基于传统resurf技术设计的pldmos器件仅通过空穴导电,所以其ron,sp约为n型ldmos(nldmos)器件的3倍,这一点对于节省芯片面积和系统功耗均是极为不利的。因此,为了提高pldmos的电流能力,b.yi等人在文章《a300vultralowspecificon-resistancehigh-sidep-...
A high voltage LDMOS device having high side source voltage, an n type buried layer and a p type buried layer situated on the interface between a p type substrate and an n type epitaxial layer; a lateral surface of the n type buried layer and a lateral surface of the p type buried ...
High-Side nLDMOS Design for Ensuring Over-100 V Breakdown Voltages. We propose a novel n-channel LDMOSFET(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure with a breakdown voltage over 10... Sung,Kunsik,Won,... - 《Aip Conference Proceedings》 被引量: 0发表...
LDMOS介绍
30 第四章O.6umBCD工艺中几种LDMoS管的优化 4.1LDMoS管工艺参数的优化 前面提到了0.6um side和lowside管在结构上的主要区别就是看LDMos结构 的剖面结构,high 中有没有BN,有的就是highside结构的管子,反之就是10w side结构的管 子。 决定性的作用。由于衬底、BN、LVNW、N十.、P十.、NLDD,包括多晶及金属...
在具体应用中,隔离型NLDMOS器件即能应用在高压侧也能应用在低压侧,如图3 所示,是现有隔离型NLDMOS器件在高压侧开关(High-side switch)和低压侧开关 (Low-side switch)的应用原理图;如隔离型NLDMOS器件101a的漏极通过负载102a 连接到电源电压VDD、源极接地,栅极连接控制信号,隔离型NLDMOS器件101a为低 压侧开关...