“为了重新夺回移动端DRAM市场的领导地位,并实现最快的速度的目标,我们决定将HKMG技术应用于移动端DRAM。我相信,通过显著改善漏电和速度问题,它将为满足客户不同需求、拓展各种DRAM 应用奠定坚实基础。” 您如何看待HKMG工艺及基于HKMG工艺的解决方案发展前景? “SK海力士将持续优化设备和工艺,以最大程度提升第一代HKMG...
二. HKMG工艺分类 1. 先栅工艺(Gate First) 2. 后栅工艺(Gate Last) 2.1. 先HK(High-K First) 2.2. 后HK(High-K Last) 三. 总结 一. 为何要使用HKMG工艺? 众所周知,集成电路器件尺寸越做越小,使得在面积不变下可以放入更多的晶体管,以提高集成度,提升芯片性能。而器件尺寸的等比例缩小同时体现在水平...
High-K Metal Gate(HKMG)技术是现代半导体制造中的关键技术之一,广泛应用于45nm、32nm、22nm及以下节点的高性能的逻辑芯片和DRAM。 HKMG结构 HKMG技术的核心在于使用高K材料替代传统的二氧化硅(SiO2)作为栅介质层,并使用金属材料替代多晶硅作为栅极电极。具体来说: 高K材料:高K材料具有较高的介电常数,可以有效减少栅极...
从目前的发展来看,各公司的28nm制程HKMG工艺2011年陆续实现量产后,主体工艺流程和技术路线已经定型,改进的空间有限。 而Al栅极的CMP是由于HKMG工艺引进金属栅极材料而新增的工艺步骤,一方面发展时间较短,技术尚未完全成熟,一方面相对独立,不会对主体工艺流程和技术路线产生影响。因此既存在改进的空间,又有改进的需求,是未...
HKMG工艺是一种新型的半导体工艺,它采用高K介电常数材料HfO2代替传统的SiON作为栅介质层,同时采用金属栅代替多晶硅栅。铝制HKMG指的是在HKMG工艺中,使用铝作为金属栅的材料。 二、铝制HKMG的优势 1. 低成本:相比于其他金属栅材料,铝的成本更低,可以降低生产成本。 2. 优异的电学性能:铝具有良好的电学性能,可以提...
可用作高K金属栅极电介质的金属氧化物需要具备K值达到要求、禁带宽度高、物理化学性质稳定、热稳定性好、可制造薄膜材料、与硅元素兼容、兼容CMOS工艺等特点。 高K金属栅(HKMG),是制造晶体管的重要材料,具有介电常数高的特点。高K金属栅是以金属氧化物作为栅极电介质,与传统栅极结构相比,可以减少栅极漏电流,提高晶体...
HKMG(High-K Metal Gate ),是45nm,32nm,22nm及以下节点多采用的工艺,它使用高k材料做栅介质层,用金属材料(如铪,钛,钽)来取代传统的多晶硅栅极。 关于HKMG工艺,可以见之前的文章: 为什么要用高k材料做栅介质层材料? HKMG工艺优点? 1, 高K材料增加了栅极介质的等效氧化物厚度(EOT),从而显著降低了漏电流。
目前在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内主要存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是以IBM为代表的gate-first(先栅极)工艺流派和以Intel公司为代表的gatelast(后栅极)工艺流派(见图6.2)。后栅极工艺又分先高k和后高k两种不同方法,图6.2所示为先高k后栅极工艺,Intel公司在45nm采用,到32nm后转为后高k后栅极工艺...
不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面,业内却存在两大各自固执己见的不同阵营,分别是以IBM为代表的Gate-first工艺流派和以Intel为代表的Gate-last工艺流派,尽管两大阵营均自称只有自己的工艺才是最适合制作HKMG晶体管的技术,但一般来说使用Gate-first工艺实现HKMG结构的难点在于如何控制PMOS管的Vt电压(门限电压);而...
SK海力士全球首次在移动端DRAM采用了“HKMG(High-K Metal Gate)”*工艺,成功研发出了LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X),并于近期开始正式销售。 *HKMG(High-K Metal Gate):在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降...