在准备去势方案时,HF被重量输出到-0.01g . HNO3和水的重量被转换为体积,并在化油器中测量到cc。蚀刻溶液组成的控制是通过分析制作溶液的原酸和将这些原酸调整到适当的浓度,这是任意作为第一批试剂的分析。 为了得到晶体取向的影响和可以检查蚀刻速率上的电阻率类型,沿111、110和100个平面定向的p型和n型硅的样品,...
HFHNO3H2O体系硅片腐蚀过程 系统标签: 硅片腐蚀体系溶液消耗量热交换 晶体硅太阳电池及材料.7 5. HF/H N03/H20体系中硅片的腐蚀过程,? 安静孙铁囤 刘志刚。汪建强 苦史伟 上海交通大学物理系太阳能研究所上海200240 ’ 【摘要】HFPHN03/H20体系在多晶硅太阳能电池制备中占有重要的地位。以前对于硅片 在HF/I-IN03...
NiTi合金金相腐蚀液配比是HF:HNO3=1:3,还是HF:HNO3:H2O=1:3: 答案 根据GB/T 4334-2008,硝酸、氢氟酸实验适用于含钼奥氏体不锈钢的晶间腐蚀实验.应用温度为70摄氏度的10%硝酸和3%氢氟酸(质量分数)溶液中的腐蚀速率,同基准试样腐蚀速率的比值来判定晶间腐蚀倾向. 相关推荐 1 NiTi合金金相腐蚀液配比是HF:HNO...
上海交通大学硕士学位论文硅片在HF/HNO<,3>/H<,2>O体系中酸腐蚀的研究姓名:***学位级别:硕士专业:光学工程指导教师:**囤20080101上海交通大学硕士学位论文I硅片在HF/HNO3/H2O体系中酸腐蚀的研究摘要HF/HNO3/H2O体系广泛应用于微电子加工及太阳能制绒过程,硅在此体系中的反应非常复杂而且反应速度比较难控制。本文...
在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。 在HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物中,硅的蚀刻速率取决于几个参数。当硫酸浓度...
原始HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物(与硅接触前)的表征:略 在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。
原始HF-HNO3-H2SO4蚀刻混合物(与硅接触前)的表征:略 在传统的HF-HNO3-H2O蚀刻混合物中加入硫酸,导致硝酸的解离减少,形成硝基离子。对于高硫酸浓度和低水含量,通过14n核磁共振和拉曼光谱验证了硝基离子的形成。在1400cm−1下整合二氧化氮+拉曼线强度,可以定量HFHNO3-h2so4溶液中的硝基铵离子。
与外部的热交换q :即Q l Q 2种水垢m晒黑OOOO芒,例如观察蕾制阀器的长口苞n船万方数据的3期安静等:硅片在HRHN0h2o系的腐蚀速率3.1随着反应时间的延长,溶液温度上升,反应时间超过5MIN 此时,溶液的温度持续下降。 2 2反应过程中氟络离子的变化2 2 1反应后溶液和K 2 S O、溶液混合后生成的沉淀反应结束后,...
HF/HNO3/H2O体系广泛应用于微电子加工及太阳能制绒过程,硅在此体系中的反应非常复杂而且反应速度比较难控制。本文主要研究了硅在此体系中的反应规律,并采用一种新型添加剂NH4F用于控制反应速度。 首先,研究了硅片在不同的温度下、不同配比的HF/HNO3酸溶液中腐蚀速度变化的规律。随着HF:HNO3比例的增加,反应速度先增加...
在有机化学中,"HF"通常指的是氢氟酸,"硝酸"是指硝酸(HNO3),而"硫酸"是指硫酸(H2SO4)。关于硅(Si),硅酸通常是与硅有关的一种化合物。 当这些化合物参与反应时,硫酸(H2SO4)常常起到催化剂或酸催化剂的作用。以下是一些可能的反应: 1.硫酸与氢氟酸(HF)的反应: -H2SO4+2HF→SO2+2H2O+F2 -在这个...