FDA59N30全新原装现货ON/安森美N沟道MOSFET场效应管封装TO-3P 深圳市芯钰同电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥33.00 FDA59N30封装TO-3P N沟道场效应 功率MOS 300V 59A 59mΩ导阻 深圳市福田区奕芯缘电子经销部(个体工商户)1年 ...
联系我们 品牌 FAI 封装 TO-3P 批号 19+ 数量 30000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -30C 最大工作温度 100C 最小电源电压 3V 最大电源电压 9.5V 长度 8.3mm 宽度 9.5mm 高度 1.8mm 可售卖地 全国 型号 FDA59N30 FDA59N30 大功率逆变器场效应MOS管 59A 300V 59N30...
型号 FDA59N30 类型 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET 连续漏极电流(Id) 59A(Tc) 功率(Pd) 500W(Tc) 导通电阻 56 毫欧 @ 29.5A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id) 300 V 输入电容(Ciss@Vds) 4670 pF @ 25 V 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加...
fda机构 专业fda 不成功 退全款 -- -- -- -- 面议 深圳市欧华检测技术有限公司 -- 立即询价 FDA59N30 场效应管 ONSEMI/安森美 封装TO-3P 批次23+ FDA59N30 15000 ONSEMI/安森美 TO-3P 23+ ￥0.9800元10~99 个 ￥0.7800元100~999 个 ...
型号 FDA59N30 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: FDA59N30 封装: TO-3P 批号: 21+ 数量: 15000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-3PN-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 300 V Id-连续漏极电流: 59 ...
FDA59N30 大功率逆变器场效应MOS管 59A 300V 59N30 价格 ￥6.70 ￥6.60 ￥6.50 起订量 1个起批 500个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;电力半导体器件;绝缘栅双极晶体管/IGBT 产品标签 FDA59N30;FAI;TO-3P 获取底价 查看电话 在线...
晟记FDA59N30 液晶MOS场效应管电源三极管 59A 300V¥4.5 折后¥4.5 发货地: 广东 深圳 品牌: 晟记 风格: 晟记 FDA59N30 液晶 MOS 效应 电源 三极管 59A 300V 去购买 收藏 图文详情 本店推荐 图文详情 导热双面胶带 液晶电视LED铝基板蓝膜导热双面胶带灯条散热耐高温 ¥3.71 苹果...
FDA59N30产品特性: 1.RDS(on) = 56mΩ (最大值)@ VGS = 10V, ID = 29.5A 2.低栅极电荷(典型值 77nC) 3.低 Crss(典型值 80pF) 4.100% 经过雪崩击穿测试 FDA59N30产品运用领域: PDP电视 不间断电源 交直流电源
FDA59N30 大功率场效应管 59A300V TO3P 59N30三极管全新原装进口¥3.8 折后¥3.8 发货地: 广东 深圳 风格: FDA59N30 大功率 效应 59A300V TO3P 59N30 三极管 全新 原装进口 去购买 收藏 图文详情 本店推荐 图文详情 FDA59N30 大功率三极管 进口全新原装 MOS场效应管 液晶电源管 ¥...
FDA59N30 300V 59A 500W低导通电阻 N沟道 功率MOSFET FDA59N30 UniFETTM MOSFET 是高压 MOSFET产品,基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。