10n60场效应管参数 10N60:N沟道MOSFET功率,10A 600V。10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管。13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管。只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换。电流不用考虑了。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属-氧化物半导体场效应管。 由多数载流子参与导电,也称为...
10n60场效应管参数 场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。企业名片 它广泛应用于各种电子整机电路中作晶体管用，是电子设备中的关键元件之一。场效应管的分类：按导电类型分 1、金属型 金属型场效应管简称金氧半场效应管，它的电极结构为N+和...
它在晶体管和可控硅技术中都有着广泛的应用,它的主要参数包括电流死区(Idr),电压饱和(Vce),电压窗口高电压(VwH),电压跌落(Vf),电容(CJ),绝缘度(IR),反向电压(VR)等。 电流死区(Idr)是指当电流流过10n60场效应管时,不可能出现的电流量。它的大小取决于电压,也就是说,当电压下降时,死区就会减小,而当电压...
根据查询10n60场效应管的结构参数可知，该设备的电压：600V，电流：10A，最大耗散功率：85WID，型号：10n60等。场效应管是一种具有放大作用（电压放大倍数可达30～倍）、输入阻抗高（10KΩ左右），电流小，重量轻等优点。它广泛应用于各种电子整机电路中作晶体管用，是电子设备中的关键元件之一。
600V 10n60场效应管-主要参数 产品型号:KIA10N60H 工作方式:9.5A/600V 漏源极电压:600V 栅源电压:±30V 漏电流连续:9.5A/5.7A 峰值二极管恢复:4.5V/ns 结温:+150℃ 贮存温度:-55℃至150℃ 600V 10n60场效应管-标准封装 600V 10n60场效应管-电路图 ...
10N60参数为：场效应管 电压电流： 10A,600V 制造商零件编号: 10n60 种类: mosfet 沟道类型: n 最大耗散功率 (pd): 156 漏源电压 (uds): 600 栅源电压 (ugs): 30 最大漏极电流 (id): 10 最大工作温度 (tj), °c: 150 导通上升时间 (tr): 69 输出电容 (cd), pf: 166 静态的...
场效应MOS管FQA10N60参数 立即咨询 FQA10N60是一款具备高性能的场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电力电子设备中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。 一、应用场景: 1. 开关电源:在开关电源中,FQA10N60常用于主功率开关元件,凭借其低导通电阻和高击穿电压特点,有效提高电源效率和稳定性。
场效应MOS管SSS10N60A参数 PD最大耗散功率:50WID最大漏源电流:5.1AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.55AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA 立即咨询 SSS10N60A是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于...
10n60场效应管参数-KIA10N60H 产品型号:KIA10N60H 工作方式:9.5A/600V 漏源极电压:600V 栅源电压:±30V 漏电流脉冲:38.0*A 结温:+150℃ 贮存温度:-55℃至150℃ KIA10N60H标准封装 KIA10N60H电路图 KIA10N60H产品附件 以下为KIA10N60H产品PDF格式的产品详细资料,查看详情请点击下图。