在半导体材料中，通过向四价半导体例如硅和锗中加入三价或五价元素来增强其导电性，这种方法被称为掺杂。具体来说，向硅中加入三价的硼或五价的磷等元素，能够提升材料的导电性能。掺杂的程度不同，可以分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。在重掺杂的条件下，掺杂元素的浓度与半导体原子的浓度比例大约为千分...
就是在360问答四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。 重掺杂的半导体中,掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一,而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例。 掺杂之后的半导体能带...
针对半导体重掺杂效应产生的问题,可以采取以下解决方案: 1.控制掺杂浓度和掺杂类型,合理控制掺杂浓度和位置,避免半导体晶体过度掺杂; 2.对杂质原子进行适当的活化和纯化,提高晶体生长质量,避免过多的杂质原子进入半导体晶体中; 3.采用更加精细的掺杂技术,如原子层沉积(ALD)和离子注入(Ion Implantation),这些技术能够...
发射区重掺杂效应主要表现为以下几个方面: 1.发射极电流非线性:当掺杂浓度达到一定值时,在发射区中的载流子浓度突然增加,使得发射极电流不再按照线性关系增加。 2.收集效率降低:当掺杂浓度达到一定值时,收集效率会降低,即少量的载流子也会受到电场的影响,从而影响收集效率。 3.热失控:当发射区中的载流子密度超过一定...
于是，就使得发射结的注射效率降低。总之，发射区重掺杂可引起带隙变窄，从而导致BJT的放大性能下降。 （3）减弱BJT带隙变窄效应的技术——多晶硅发射极晶体管： 在发射极金属电极的表面上覆盖一薄层掺杂多晶硅，可使得本征硅发射区表面的少数载流子寿命提高，从而能够明显地减弱因为高掺杂所带来发射结注射...
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高___,反而会使其___。造成发射区重掺杂效应的原因是___和___。P99 相关知识点: 试题来源: 解析 注入效率 下降 发射区禁带变窄 俄歇复合增强 反馈 收藏
百度试题 题目发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。相关知识点: 试题来源: 解析 注入效率;下降;发射区禁带变窄;俄歇复合增强 反馈 收藏
百度试题 题目造成发射区重掺杂效应的原因有( )。? 相关知识点: 试题来源: 解析 发射区禁带变窄和俄歇复合增强##%_YZPRLFH_%##发射区禁带宽度变窄和俄歇复合增强##%_YZPRLFH_%##发射区禁宽变窄和俄歇复合增强 反馈 收藏
导致大电流双极晶体管电流增益下降的原因分为：大注入效应和基区扩展效应。发射区重掺杂效应：当发射区掺杂浓度过重时会引起发射区重掺杂效应，即过分加重发射区掺杂不但不能提高注入效率γ，反而会使其下降。原因为：发射区禁带变窄和俄歇复合增强。