下面介绍一些调节带隙的方法。 1.合金化方法:将两种或多种不同材料按一定比例混合,通过“杂质能级”调节带隙。当杂质浓度增加时,能带隙变窄,反之能带隙变宽。 2.电场调控方法:外加电场可以改变物质内部电子的能量分布,从而调节带隙。例如,通过引入极化电场或磁场,可以改变晶体内电子的能带结构,从而调节带隙。 3....
这种方法可以在不改变化学成分的情况下实现带隙的调控。 纳米结构调控 纳米结构调控是近年来逐渐兴起的一种调节带隙的方法。通过控制氮化硅陶瓷T型块的纳米结构,如纳米线、纳米颗粒等,可以实现对带隙的调控。例如,通过制备纳米线状氮化硅可以减小其带隙宽度,从而提高其光电转换效率。这种方法为实现高性能的氮化硅陶瓷...
激光测量与调整：运用激光扫描和测量技术，对氮化硅陶瓷凹模的形状和尺寸进行精确测量，根据测量数据进行微量调整，实现带隙的精确控制。应用反馈修正：在实际使用过程中，根据成型效果和磨损情况，定期对氮化硅陶瓷凹模进行检测和修正，及时调整带隙，保证成型精度。三、应用实例与效果分析通过上述方法优化后的氮化硅陶瓷...
一种逐层调节二维材料带隙的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种逐层调节二维材料带隙的方法说明:本发明涉及一种简捷的逐层调节二维材料带隙的方法,我们将通过机械剥离或其他方法制备的多层二维材料...专利查询请上爱企查
另一种可能的方法是将氮化硅与其他具有可调带隙的材料结合,形成复合材料。例如,可以将氮化硅与碳化硅(SiC)或氮化铝(AlN)等材料结合,这些材料的带隙可以通过不同的合成方法进行调节。通过精确控制复合材料的组成和结构,可能会实现对整体电子性质的调节。
5.发明目的:本发明的目的是提供一种控制精度高、带隙实时可调的声子晶体;本发明的另一目的提供一种操作简单的上述带隙可调的声子晶体的带隙调节方法。6.技术方案:本发明提供了一种带隙可调的声子晶体,该声子晶体为二维流/ 固耦合型声子晶体,其晶格排列方式为正方晶格,主要可以用于构造c4v晶格。所述晶格以正方晶格...
一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法说明:一种利用锂化法调节三维光子晶体带隙的方法,本发明涉及一种调节三维光子晶体带隙的方法,它为了解决...专利查询请上爱企查
一种逐层调节二维材料带隙的方法,包括以下步骤:1)将基底进行预处理,使其成为富含羟基的清洁基底材料;本技术方案的样品基底的要求性能较为稳定材料,如硅、二氧化硅等基体;样品基底平面尺寸为1mm×1mm～20mm×20mm,厚度为100μm～10mm;获取富含羟基的清洁的基底材料可由氧等离子清洗机处理,或用强氧化剂,优选的如:浓...
12、根据本发明实施例提供的带隙可调的半导体石墨烯及调节半导体石墨烯带隙的方法,该半导体石墨烯的带隙在大于0.6 ev且小于等于1.2 ev的范围内可调,通过将外延生长的半导体石墨烯放入电子束曝光机中,并仅需利用电子束曝光机中的电子束对半导体石墨烯进行辐照这一个步骤,并调整加速电压、电子束束流以及电子束能量中的...
一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法说明:本发明提供了一种基于氧原子掺杂可控调节石墨烯带隙的方法,包括如下步骤:步骤1、对碳化硅表面进行...专利查询请上爱企查