在工程设计中,衬底偏置效应对阈值电压的影响可用下面的近似公式计算: γ为衬底偏置效应系数,它随衬底掺杂浓度而变化,典型值:nmos晶体管,γ=0.7~3.0。pmos晶体管,γ=0.5~0.7对于pmos晶体管,∆vt取负值,对nmos晶体管,取正值。 对处于动态工作的器件而言,当衬底接一固定电位时,衬偏电压将随着源节点电位的变化而变...
基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化算法专利信息由爱企查专利频道提供,基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化算法说明:本发明属于集成电路设计领域,尤其涉及低功耗设计基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化算法。现有...专利查询请上爱企查
硕士学位论文自适应衬底偏置电压调节技术研究RESEARCHONADAPTIVEBODYBIASTECHNIQUE刘畅哈尔滨工业大学2011年6月国内图书分类号:TN432学校代码:10213国际图书分类号:621.3密级:公开工学硕士学位论文自适应衬底偏置电压调节技术研究硕士研究生:刘畅导师:**伊教授申请学位:工学硕士学科:微电子学与固体电子学所在单位:航天学院答辩日...
内容提示: 硕士学位论文 自适应衬底偏置电压调节技术研究 RESEARCH ON ADAPTIVE BODY BIAS TECHNIQUE 刘畅 哈尔滨工业大学 2011 年 6 月 文档格式:PDF | 页数:60 | 浏览次数:30 | 上传日期:2016-03-13 17:25:57 | 文档星级: 硕士学位论文 自适应衬底偏置电压调节技术研究 RESEARCH ON ADAPTIVE BODY BIAS ...
图2为不同偏置条件下40 nm MOSFET衬底电流随器件沟道长度变化的曲线。从图中可以看出,衬底电流具有沟道长度依赖性和漏极偏置依赖性,沟道长度越小,衬底电流成反比例形式增加;同时漏极偏置越大,衬底电流越大。仿真结果与实验结果相一致,验证了模型准确性。
数模混合控制多环路衬底动态偏置LDO电路共有三个控制环路:第一个控制环路11由pMOS管MP、nMOS管M7、M8和运算放大器AMP组成;第二个控制环路12由pMOS管M3、M5、nMOS管M4、M6、功率管MP组成;第三个控制环路13由pMOS管M1、M3、M5、功率管MP、nMOS管M2、M4、M6、与门AND1、AND2,非门INV1-INV6组成。
基于输入向量控制的衬底偏置技术面积优化方法
【面经】 比亚迪 模拟IC | 上午hr面问意向岗位,下午技术面40分钟。 学习成绩如何 有挂科吗,六级? 硕士研究方向?有流片吗? MOS管衬底偏置效应,如何消除?衬底是跟源端会有什么问题? 沟道长度调制效应?电路中有什么影响? 电流镜镜像电流的原理?基本电流镜有什么缺点?为什么要vds相等?如何保证vds相等?
图2为不同偏置条件下40 nm MOSFET衬底电流随器件沟道长度变化的曲线。从图中可以看出,衬底电流具有沟道长度依赖性和漏极偏置依赖性,沟道长度越小,衬底电流成反比例形式增加;同时漏极偏置越大,衬底电流越大。仿真结果与实验结果相一致,验证了模型准确性。