随后,中国科学院上海硅酸盐研究所组织力量,开展了碳化硅晶体生长、晶体表面形貌与性能表征、碳化硅单晶膜外延生长及p-n结制备、碳化硅发光二极管研制等方面的工作,先后在自制的生长设备中制备出尺寸为3~4mm的6H-SiC晶片(图2),也研制出碳化硅基发光二极管。到了20世纪70年代初期,由于各种原因,中国科学院上海硅酸盐研究...
碳化硅晶体生长过程中的扩径与缺陷控制 下载积分:3000 内容提示: 独创性声明本人所呈交的学位论文是在导师指导下进行的研究工作及取得的成果。 尽我所知,除特别加以标注的地方外, 论文中不包含其他人的研究成果。 与我一同工作的同志对本文的研究工作和成果的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并已致谢。本论文...
不过这种坩埚结构总体上是有效地抑制了多晶生长，从而避免了多晶对单晶的影响。另外，该锥台还起到扩径作用，即单晶将沿着锥台径向扩径，直至与内壁等径。二、碳化硅晶体生长过程中的微管缺陷控制 SiC晶体中的结构缺陷主要包括微管、螺位错(screw-dislocation)、刃位错(threading．edge dislocation)、堆垛层错、小角晶界...
1.本发明涉及碳化硅晶体生长领域,特别是涉及一种降低碳化硅晶体生长过程中bpd缺陷的装置及方法。 背景技术: 2.碳化硅材料作为第三代半导体的典型代表,具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率快、化学稳定性高、抗辐射能力强等优异性能,因此,碳化硅晶体的生长一直是国内外研究的热点。
《碳化硅晶体生长与缺陷》是2012年科学出版社出版的图书，作者是施尔畏。本书系统地介绍了物理气相输运（PVT）法碳化硅晶体生长与缺陷研究方面的工作，由碳化硅晶体的多型结构与表征、碳化硅晶体的PVT法生长、气相组分Simcn和碳化硅晶体的生长机制、碳化硅晶体的结晶缺陷四部分组成。内容介绍 《碳化硅晶体生长与缺陷》从...