1.CZ法(Czochralski法) CZ法是硅单晶的主要制备方法之一。其过程是将精制硅(或高纯硅)放入石英坩埚中,在高温下熔化,再通过引入掺杂剂来形成PN结构。这种方法的优点是生长速度快,可以得到较大的单晶,缺点是晶体中掺杂杂质多。 2.FZ法(Floating Zone法) FZ法也是一种制备硅单晶的方法,其过程是先...
Czochralski法是制备单晶硅最常用的方法之一。这种方法利用高温下的熔融硅溶液,通过在溶液中降低单晶硅棒,来拉出单晶硅。整个过程需要严格控制温度和拉棒速率,以保证单晶的质量和晶体结构。Czochralski法制备的单晶硅在电子器件和太阳能电池等领域有广泛应用。 ...
主要流程是在石英坩埚中放入多晶硅,加热使其熔融,然后夹住一块单晶硅的籽晶,将它悬浮在坩埚之上,把籽晶的一端拉制插入熔体直到融化,然后再缓慢旋转并向上提拉,这样在液体与固体的界面就会经过逐渐冷凝形成单晶。由于整个过程可以看作是复制籽晶的过程,所以生成的硅晶体是单晶硅。晶体的掺杂也是通过直接在坩埚中加入掺杂...
高纯度单晶硅的生产方法有两种。方法一:三氯硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法,生产过程示意图如下:焦炭(HCl)/(573KW) 精馏石英砂粗硅SiHCl3(粗)高温SiHCl_3 (Si)(HCl_3(≅lt))-(H_2)/(1357K)高纯硅方法二:用金属硅化物 (Mg_2Si) 与盐酸作用制得硅烷再热分解硅烷可得高纯硅。根据上述...
摘要 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法,采用纯度为99.99%的氮、氩或氮—氩混合气作为保护气体,同时以硅磷合金和硅锑合金作为掺杂剂,控制掺杂剂的杂质浓度和掺入量,获得电阻率为0.5~10Ω·cm、10~50Ω·cm、50~90Ω·cmN型直拉硅单晶。这种硅单晶,其轴向电阻率均匀度优于20%,用于制造大规模集成电路、超大规...
本发明涉及一种硅单晶制备方法,特别涉及一种用于生产大功率,高电压,大电流半导体器件的大直径区熔硅单晶制备方法.当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm～130mm时,发生界面翻转,此时,立即调整区熔单晶炉发生器设定的阳极电压,每隔5～10秒,将阳极电压设定电增加0.1%～0.3%;当区熔硅单晶的直径扩肩到Φ110mm时,将区熔...
一种N型掺杂硅单晶的制备方法以及所制备的掺杂硅单晶 下载积分:120 内容提示: (19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202111484369.0(22)申请日 2021.12.07(71)申请人 中国人民解放军陆军勤务学院地址 401311 重庆市沙坪坝区大学城北一路20号(72)发明...
摘要 本发明提供一种固相掺杂硅单晶的制备方法,包括:将多晶料和掺杂剂混合成的原料放入坩埚内;将晶体生长装置内部抽真空,通入氩气;将所述坩埚置入所述晶体生长装置中并熔化所述原料,得到熔体;籽晶接触所述熔体表面,当所述熔体表面稳定后开始引晶,直至晶棒脱离所述熔体表面,引晶结束。本发明的有益效果是有效的解...
区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法专利信息由爱企查专利频道提供,区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的制备方法说明:本发明涉及一种硅单晶的制备方法,特别涉及一种用于生产太阳能硅电池的区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶...专利查询请上爱企查