热氧化法制备SiO2 热氧化法制备SiO 2 一、目的：用热氧化法制备SiO 2.二、原理：1．干氧氧化：高温下的氧分子与Si 片表面的Si 原子反应，生成SiO 2起始层，其反应式为：2O Si + 高 温2SiO 此后，由于起始氧化层阻止氧分子与Si 表面的直接接触，氧分子只有以扩散方式通过SiO 2层，到达SiO 2 ...
这种方法主要是通过溶胶—凝胶过程来制备二氧化硅薄膜。其中，凝胶—溶胶法中的溶胶凝胶过程包括溶胶的形成...
4.3 热氧化 一、薄膜的制备 ★薄膜生长：热氧化 ★薄膜淀积（沉积）：PVD（PhysicalVapor-phaseDeposition）物理气相淀积（蒸发、溅射）CVD（ChemicalVapor-phaseDeposition）化学气相淀积（APCVD、LPCVD、PECVD）二、热氧化含义 ★高温下（900~1200℃），硅与氧气或 水蒸气发生氧化反应在表面形成生成二氧化硅的过程。★...
该方法包括以下步骤:1)对镁合金进行预处理,得到表面洁净的镁合金;2)将步骤1)得到的所述镁合金浸入表面处理液中,并加热进行碱热反应,反应完后对镁合金进行清洗和烘干,得到表面具有氢氧化镁与二氧化硅复合薄膜的镁合金.发明中的氢氧化镁/二氧化硅复合膜打破了含有氢氧化镁的膜通常其耐蚀性能较差的特点,同时也规避了...