半导体产业新突破 华中科技大学完成新型光刻胶技术验证 九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向,同时为 EUV 光刻胶的着力开发做技术储备。#芯片 #中国科技崛起 #光刻胶 #半导体...
近日,全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在湖北九峰山实验室下线。这项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆,单片集成光电收发功能,是目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造,为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。此项成果由九峰山实验室联合重要产业...
中国科研团队完成新型光刻胶技术验证:为EUV光刻胶开发做技术储备 2024年4月7日,据“湖北九峰山实验室”官方微信公众号消息,近日,九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。 作为半导体制造不可或缺的材料,光刻胶质量和性能是影响集...
01我国新型光刻胶技术迎来重大突破,有望突破光刻制造共性难题。 02目前,国内光刻胶自给率现状:EUV为0%,ArF为1%,KrF为5%。 03九峰山实验室与华中科技大学组成联合研究团队,成功研发“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”。 04该技术具有高分辨率、优良截面形貌和低线边缘粗糙度,性能优于大多数商用光刻...
2.集成电路（芯）。以国家存储器基地项目、湖北江城实验室、湖北九峰山实验室建设为抓手，以武汉东湖高新区为核心区，重点依托国家先进存储产业创新中心等创新平台，建设世界存储之都，形成以芯片制造为引领，芯片设计、封装测试为支撑，设备、材料为配套的较为完善的集成电路产业链。 3.新型显示（屏）。加快推进...
4、科技:华中科技大学与湖北九峰山实验室组成联合研究团队,突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术 5、房市:碧桂园、融信中国、上坤地产、当代置业、亿达中国等多家房企停牌;南昌、九江、新余、赣州、青岛、潮州、汕尾、烟台等8城取消首套房贷利率下限;融创中国选择以实物支付新票据的全部利息;黑龙江...
8月15日,河南九峰山抽水蓄能电站项目地下主副厂房和主变洞首层同步顺利开挖完成,得到业主单位的高度评价。地下主副厂房、主变洞是九峰山抽水蓄能电站项目的两个特大洞室,也是工程施工的核心。其中,主副厂房总长232.2米,最大开挖宽度27米,最大开挖高度56.5米,共分7层开挖;主变洞总长229米,开挖宽度20米,开挖高度24....
我国全自主知识产权新型光刻胶技术又迎新突破。 参考文献 [1] 湖北九峰山实验室:联合攻关,九峰山实验室支持华中科技大学团队突破新型光刻胶技术.2024.3.29. https://mp.weixin.qq.com/s/o8wqk9T41ne0BErQaicE4Q [2] 论文链接:https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.148810 [3] 梧桐树资本PTCG:光刻胶...
2024年4月2日,KKJCN,据湖北九峰山实验室官微消息,九峰山实验室、华中科技大学组成联合研究团队,支持华中科技大学团队突破“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”技术。 据介绍,该研究通过巧妙的化学结构设计,以两种光敏单元构建“双非离子型光酸协同增强响应的化学放大光刻胶”,最终得到光刻图像形貌与线边...
重磅突发!我国科研团队完成一种新型光刻胶技术初步验证,为国产EUV光刻胶开发做技术储备 【CarbonSemi 4月25-26日】金刚石半导体、GaN功率器件、石墨烯、碳纳米管……第四届碳基半导体论坛,宁波见!#光刻胶#华中科技大学#九峰山 - 第八届国际碳材料大会暨产业展览会于2024