14、本发明提供了一种拓扑相变忆阻器,所述拓扑相变忆阻器采用上所述的制备方法制备得到,所述拓扑相变忆阻器包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、富氧缓冲层、阻变层和顶电极层,所述富氧缓冲层由所述底电极层表面的氧离子氧化所述阻变层朝向所述底电极层的表面得到,所述阻变层的类超晶格结构垂直于所述衬底层。
主要内容 为了实现更加可控的高性能阻变器件,文章提出了利用具有可逆拓扑相变特性的氧化物SrCoOx作为忆阻器的阻变层,设计出拓扑相变忆阻器(TPT-RAM),其由氧八面体和氧四面体交替堆叠形成的独特晶体结构为实现高一致性模拟阻变提供了有利条件(图2)。...