首先,激光器出射S偏振光,被偏振分束器(PBS)反射后,由投影物镜聚焦成直径 1mm左右的光斑并入射硅片对准标记。紧接着,衍射光经光栅衍射后生成不同的衍射级次,但仅有±1衍射级次能够通过投影物镜继续向前传播,并透过PBS后打在掩膜对准标记上。最后,透过掩膜对准标记的光被分光棱镜分成两束光,其中一束光通过透镜组成...
2024年11月13日,合肥晶合集成电路股份有限公司(以下称“合肥晶合”)迎来了一个重要里程碑。根据国家知识产权局的公告,该公司成功获得了一项关于“对准标记的制备方法及半导体结构”的专利,授权公告号为CN118571863B,申请日期为2024年7月。这项专利的获得,标志着合肥晶合在集成电路领域的创新能力和技术实力得到了国际认...
对准标记是指在制图、设计或排版过程中，用以及时、准确地确定图形的位置、大小与间距的标记。常见的对准标记包括菜单栏中的网格线、参考线；磁性吸附、对齐线等。这些工具不仅能够帮助设计者精确定位设计元素，还能提高设计的效率。有了对准标记，我们可以轻松地将文本、图形、布局等元素对齐到正确的位置，...
摘要 一种对准标记,包括:基底;位于基底上的对准标记,所述对准标记存在损坏处;修补层,对所述对准标记的损坏处进行修补,将存在修补层的对准标记作为新的对准标记。修补后的对准标记不存在缺陷或者即使存在缺陷,该缺陷已经不足以影响对准,因而将修补后的对准标记作为新的对准标记进行对准时,使得对准过程可以顺利进行,同时...
1.一种对准标记,其特征在于,包括: 对准标记图案, 第一标记群,位于所述对准标记图案的第一方向, 第二标记群,位于所述对准标记图案的第二方向, 第三标记群,位于所述对准标记图案的第三方向, 第四标记群,位于所述对准标记图案的第四方向, 所述第一标记群、第二标记群、第三标记群和第四标记群共同构成环状图案...
MEMS代工中光刻的对准标记,是为了制造有用的器件,属于单个结构的用于不同光刻步骤的图案必须彼此对准。转移到晶片的第一图案通常包括一组对准标记,这些对准标记是高精度特征,在将后续图案定位到第一图案时用作参考。对齐标记通常包含在其他样式中,因为随着处理的进行,原始对齐标记可能会消失。重要的是要对晶圆上的每个...
摘要 本发明提供一种对准标记,包括至少一个对准标记单元,每个对准标记单元包括沿第一方向设置的多个对准分割段,每个对准分割段被设置为第一图形结构或第二图形结构,并且所述第一图形结构与所述第二图形结构为凹槽结构和凸起结构中的一者。所述多个对准分割段可响应入射光线而产生多个不同级次衍射光,且第0级衍射光的...
摘要 本实用新型揭示了一种对准标记,用于背照式影像传感器制作过程中的对准,所述对准标记设置于晶圆正面,包括一对第一标记,分别位于以晶圆缺口所在直径的两侧的一个区域中,所述区域中心连线经过晶圆中心,并与所述直径呈55°夹角,所述区域靠近晶圆边缘,为沿连线方向长度小于等于11mm,垂直连线方向长度小于等于8mm的矩形...
晋华集成电路新专利:对准标记结构引领半导体创新潮流 2024年11月22日,福建省晋华集成电路有限公司获国家知识产权局授权了一项名为“一种对准标记结构以及半导体器件”的专利。此次专利的获得不仅标志着晋华在半导体技术领域的进一步突破,也为未来电子器件的高效集成与性能提升提供了全新解决方案。