IBM 開發出 2 奈米製程,採用環繞閘極(GAA)技術架構,效能號稱較 7 奈米 提升 45%,預計於 2024 年投入量產。現今 20 奈米以下的先進製程採用 FinFET 鰭式場效電晶體,因為物理極限,未來 3奈米 或 2奈米 預計採用環繞閘極(GAA)技術。 在先進製程領域原本領先的台積電、三星,突然半路殺出 IBM 這個競爭對手──...