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对于直接带隙半导体，它主要吸收能量等于带隙能量的光，使电子从基态跃迁到激发态。而发射光谱则是物质在受热或其他方式的作用下，电子从激发态返回基态并释放能量的过程。电子释放的能量会以光子的形式辐射出去，形成光谱。在直接带隙半导体中，吸收和发射光谱的差异主要表现在以下方面：1.能量转换：在吸收过程中，光子...
文中开发了一种具有优异光学性能的六方晶格锗和硅锗合金直接带隙半导体纳米线。测量了亚纳秒级、温度不敏感的辐射重组寿命,观测到类似于直接带隙III-V族半导体的发射率。通过调控SiGe合金成分,发射波长可以在很大的范围内连续调谐,并且保留了直接的带隙。研究结果表明六角...
直接带隙半导体,顾名思义,其导带与价带之间的能量差(即带隙)允许电子在跃迁时直接释放光子。这一过程简洁高效,无需额外能量或粒子的辅助,因此直接带隙半导体在发光器件中表现出色。比如,常见的LED(发光二极管)就是利用直接带隙半导体的这一特性,实现了高效...
同步辐射光电发射方法研究ZnO基稀磁半导体带隙杂化电子态及其磁性关联1、简介随着人们对材料结构与性能关系的深入研究,发现通过合理选用原子种类和晶面方向可以实现二维材料的可控生长和调控性能。而ZnO基稀磁半导体的研究,不仅有助于揭示其带隙杂化电子态的形成机制,而且为其应用于新型器件提供了理论支持。本文将从同步...
权利要求基于发射极电流补偿的高精度、低失调带隙基准电压源,其特征在于由启动电路(1),偏置电路(2),基准电压产生电路(3),发射极电流补偿电路(4)构成;其中启动电路(1)的输入端IN与基准电压产生电路(3)中(Qa2)的发射极以及PMOS管(M6)的漏极相连,输出端OUT与基准电压产生电路(3)中的PMOS管(M1/M2/M3/M4/M5...
专利名称 一种基于发射极电流补偿的高精度带隙基准源电路 申请号 2010105558868 申请日期 2010-11-19 公布/公告号 CN101976095B 公布/公告日期 2012-06-06 发明人 蒋仁杰,陈怒兴,陈宝民,石大勇,谭晓强,郭斌,李俊丰 专利申请人 长沙景嘉微电子股份有限公司 专利代理人 - 专利代理机构 - 专利类型 发明专利 主分...
具有明亮绿光发射的一种自激活荧光粉 在这项工作中,首次发现了具有明亮绿光发射的Rb3RV2O8(R=Y, Lu)自激活荧光粉。通过Eu3+的掺杂,成功实现了实现颜色从青绿色到橙红色的调控。最后,通过和商用荧光粉的混合成功制备了具有高显指,低色温并且可以实现全光谱照明的暖白光器件。
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