势垒层材料是指在材料中存在着电子势垒,能够阻止电子发生自由移动的材料。势垒层材料通常由两种不同的材料构成,其中一种材料是电子给体,另一种材料是电子受体。在电子给体和电子受体之间形成的势垒层,能够限制电子的自由移动,从而实现对电子的有效控...
势垒层:在 PN 结中, N 区电位高于 P 区电位,两区存在接触电位差之缘故。耗尽层:在 PN 结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。阻挡层:由于 PN 结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流 IR(sat)的 95%时...
什么是势垒电容 | 在PN结中,两种不同参杂的半导体接触面的电子空穴发生复合,也就形成了一边带正电,一边带负点的区域,这个其余称作耗尽层。把耗尽层看作绝缘介质,分布在耗尽层两边的电子和空穴就看做电容的两面极板。由此,建立了电容模型。PN结加正向电压,抽象成电源给电容板充电,这会导致电容上的电荷增加,又由于外...
什么是超晶格结构??两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。双异质结形成的结构,如AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs结构。两种不...
势垒层是**电子从阴极进入阳极的通道,由高能电子形成的密度很高的区域**^[1][2]^。在两电极间电位差的作用下,多数电子随外加电压产生定向流动,形成电流;而一些能量较高的少数电子可越过势垒到达另一侧,即跨越式迁移或隧穿效应。因此势垒层的存在对晶体管的工作特性有较大影响,确定合适的势垒厚度以及控制入射电子...
势垒层:在PN结中,N区电位高于P区电位,两区存在接触电位差之缘故。 耗尽层:在PN结中,只有不能移动的数量相等的正负离子,而载流子因扩散和复合而消耗掉了之故。 阻挡层:由于PN结中存在接触电势压,阻挡了电子扩散之故。 1-2(1)在室温下,当硅二极管的反向电流达到其反向饱和电流I的95%时,反向电压是多少 (2) ...
相关知识点: 试题来源: 解析 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。 反馈 收藏
什么是超晶格结构?? 两种禁带宽度不同或掺杂类型不同的超薄层周期性地重叠,每层材料(势阱和势垒)的厚度都很薄,都可以和电子的德布罗意波长相比,称这种结构为超晶格结构。能够对电子(空穴)的运动产生某种约束,使其能量量子化的势场就是超晶格结构。双异质结形成的结构,如 AlxGa1-xAs/GaAs /AlxGa1-xAs结构。两...