那二极管雪崩击穿电流公式到底是啥呢?它通常可以表示为:$I = A V^{n}$,这里的$A$是和二极管材料、结构相关的常数,$V$是反向电压,$n$一般在3到6之间。 我记得有一次,在实验室里和学生一起做实验。我们在研究不同类型二极管的特性,当逐渐增加反向电压时,大家都紧紧盯着电流表,眼睛都不敢眨一下,生怕错过那...
四川电力技术Sichuan Electric Powes Technology 38 2021 年 2 月第 44 卷第 1 期单星形接线电 容器组 击穿故障下桥差电流 保护公式推导胡德雯 1 ,, 李自成 2 ,,林 噌 2 ,, 柴薪蛊 2( ( 1. 国网四川省电力公司 检 修公司 ,, 四川成都 610041 ;;2 .成都理工大学工程技术学院 ,, 四川乐山 614099 ...
PMOS漏电Ioff,首先设定Vd=﹣1.1*VDD或者﹣1.1*VDDA,Vg=Vs=Vb=0V,测量电流Id,那么Ioff=Id/W。 影响晶体管漏电流的因素 阱离子注入异常;LDD离子注入异常;AA刻蚀损伤在退火过程中没有消除;接触孔刻蚀异常。 BVD测试条件 测量MOS晶体管击穿电压的基本原理是在晶体管的四端分别加载电压,栅极和衬底之间没有形成电压差...
不击穿，板间无电流，电路中可有充放电流(直流电压加上瞬间或交流电压);击穿，板间有击穿电流(介质击穿导通)，大小等于电路中电流
发生击穿故障时,电容器组的电容会随之发生变化,将导致中性点电压发生偏移和不平衡电流的产生.首先,对电力系统中补偿电容器组的桥差保护计算公式进行推导,同时对电容器组单星形接线形式进行公式整理;然后,通过Matlab建立Simulink仿真模型,对不同击穿率下的电容器组运行情况进行仿真分析;最后,通过仿真数据对推导公式加以...
不击穿，板间无电流，电路中可有充放电流(直流电压加上瞬间或交流电压);击穿，板间有击穿电流(介质击穿导通)，大小等于电路中电流